The nature of optical transitions in Ga0.64In 0.36As1-xNx/GaAs single quantum wells with low nitrogen content (x ≤ 0.008)

Solid State Communications

Volumn 127, Issue 9-10, 2003, Pages 613-618

  Kudrawiec, R ^a   Sek G ^a   Ryczko, K ^a   Misiewicz, J ^a   Sundgren, P ^b   Asplund, C ^b   Hammar, M ^b  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^b ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

A. Quantum wells; A. Semiconductors; D. Optical properties

Indexed keywords

INTERFACES (MATERIALS); NITROGEN; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

OPTICAL TRANSITIONS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0041975732     PISSN: 00381098     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1098(03)00568-4     Document Type: Article

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