Piezoreflectance and photoreflectance study of GaAs/AIGaAs digital alloy compositional graded structures

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 1, 1996, Pages 460-466

  Lin, D Y ^a   Lin, F C ^a   Huang, Y S ^a   Qiang, H ^b   Pollak, Fred H ^b   Mathine, D L ^c   Maracas, G N ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b CITY UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^c Arizona State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPROXIMATION THEORY; CALCULATIONS; ELECTRON ENERGY LEVELS; ELECTRON TRANSITIONS; EXCITONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PIEZOELECTRICITY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; THERMAL EFFECTS;

ASYMMETRIC TRIANGULAR QUANTUM WELLS; DIGITAL ALLOY COMPOSITIONAL GRADING; ENVELOPE FUNCTION APPROXIMATION; INTERSUBBAND TRANSITIONS; LORENTZIAN LINE-SHAPE FUNCTION; PHOTOREFLECTANCE; PIEZOREFLECTANCE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0029776504     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.360852     Document Type: Article

References (47)

1. R. C. Miller, A. C. Gossard, D. A. Kleinman, and O. Munteanu, Phys. Rev. B 29, 3740 (1984).
2. W. Pötz and D. K. Ferry, Phys. Rev. B 32, 3863 (1985).
3. R. F. Kopf, M. H. Herman, M. L. Schnoes, A. P. Perley, G. Livescu, and M. Ohring, J. Appl. Phys. 71, 5004 (1992).
4. D. A. Holm and H. F. Taylor, IEEE J. Quantum Electron. QE-25, 2266 (1989).
5. G. D. Sanders and K. K. Bajaj, J. Appl. Phys. 68. 5348 (1990).
6. J. S. Weiner, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, C. A. Burrus, T. H. Wood, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 47, 1148 (1985).
7. T. H. Wood, C. A. Burrus, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, and W. Weigmann, IEEE J. Quantum Electron. QE-21, 117 (1985).
8. T. H. Wood, C. A. Burrus, A. C. Gnauck, J. M. Wiesenfield, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, and T. C. Damen, Appl. Phys. Lett. 47, 190 (1985).
9. J. G. Cody, D. L. Mathine, R. Droopad, G. N. Maracas, R. Rajesh, and R. W. Carpenter, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1075 (1994).
10. H. Qiang, Y. S. Huang, F. H. Pollak, W. S. Chi, D. L. Mathine, and G. N. Maracas, Solid-State Electron. 37, 893 (1994).
11. D. L. Mathine, G. N. Maracas, D. S. Gerber, R. Droopad, R. J. Graham, and M. R. McCartney, J. Appl. Phys. 75, 455 (1994).
12. K.-K. Law, R. H. Yan, A. C. Gossard, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 67, 6461 (1990).
13. T. Ishikawa and K. Tada. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1982 (1989).
14. P. W. Yu, D. C. Reynolds, G. D. Sanders, K. K. Bajaj, C. E. Stutz, and K. R. Evans, Phys. Rev. B 43, 4344 (1991).
15. D. S. Gerber, R. Droopad, and G. N. Maracas, Appl. Phys. Lett. 62, 525 (1993).
16. R. Droopad, K. Y. Choi, R. A. Puechner, K. T. Shiralagi, D. S. Gerber, and G. N. Maracas, Appl. Phys. Lett. 59, 2308 (1991).
17. Y. R. Lee, A. K. Ramdas, F. A. Chambers, J. M. Meese, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 50, 600 (1987).
18. Y. R. Lee, A. K. Ramdas, L. A. Kolodziejski, and R. L. Gunshor, Phvs. Rev. B 38, 13143 (1988).
19. H. Mathieu, J. Allègre, and B. Gil, Phys. Rev. B 43, 2218 (1991).
20. Y. R. Lee, A. K. Ramdas, A. L. Moretti, F. A. Chambers, G. P. Devane, and L. R. Ram-Mohan, Phys. Rev. B 41, 8380 (1990).
21. R. L. Tober, A. L. Smirl, T. F. Boggess, and J. N. Schulman, J. Appl. phys. 64, 4678 (1988).
22. C. Parks, R. G. Alonso, A. K. Ramdas, L. R. Ram-Mohan, D. Dossa, and M. R. Melloch, Phys. Rev. B 45, 14215 (1992).
23. R. L. Tober, J. Pamulapati, J. E. Oh, and R. N. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 53, 883 (1988).
24. Y. Yin, D. Yan, F. H. Pollak, M. S. Hybertsen, J. M. Vandenberg, and J. C. Bean, Phys. Rev. B 44, 5955 (1991).
25. O. J. Glembocki and B. V. Shanabrook, in Semiconductor and Semimetals, edited by D. G. Seiler and C. L. Littler (Academic, New York, 1992), Vol. 36, p. 222.
26. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng. R 10, 275 (1993).
27. F. H. Pollak, in Handbook on Semiconductors, edited by M. Balkanski (North Holland, Amsterdam, 1994), Vol. 2, p. 527.
28. G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 5693 (1981).
29. H. Qiang, F. H. Pollak, C. M. Sotomayor Torres, W. Leitch, A, H. Kean, M. A. Stroscio, G. J. Iafrate, and K. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 61, 141 (1992).
30. Y. S. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, G. D. Pettit, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, H. Stragier, and L. B. Sorensen, J. Appl. Phys. 70, 7537 (1991).
31. F. H. Pollak, in Semiconductors and Semimetals, edited by T. P. Pearsall (Academic, New York, 1990), Vol. 32, p. 17.
32. T. F. Kuech, D. J. Wolford, R. Potemski, J. A. Bradley, K. H. Kelleher, D. Yan, J. P. Farrell, P. M. S. Lesser, and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 51, 505 (1987).
33. H. Xu, X. Zhou, G. Xu, Q. Du, E. Wang, L. Zhang, and C. Chen, Appl. Phys. Lett. 61, 2193 (1992).
34. S. Adachi, in Properties of Aluminum Gallium Arsenide, edited by S. Adachi (Inspec, London, 1993), p. 58.
35. H. Mathieu, D. Auvergne, and J. Camassel, Phys. Status Solidi B 58, 227 (1973).
36. H. Qiang, F. H. Pollak, and G. Hickman, Solid State Commun. 76, 1087 (1990).
37. T. B. Bateman, H. J. McSkimin, and J. M. Whelan, J. Appl. Phys. 30, 544 (1959).
38. O. J. Glembocki, B. V. Shanabrook, N. Bottka, W. T. Beard, and J. Comas, Appl. Phys. Lett. 46, 970 (1985).
39. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
40. P. Lautenschlager, M. Garriga, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4813 (1987).
41. P. Lautenschlager, M. Garriga, L. Vina, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4821 (1987).
42. F. H. Pollak, in Properties of Aluminum Gallium Arsenide, edited by S. Adachi (Inspec, London, 1993), p. 79.
43. D. S. Chemla, D. A. B. Miller, and P. W. Smith, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson, A. C. Beer, and R. Dingle (Academic, New York, 1987), Vol. 24, p. 279.
44. D. S. Chemla, D. A. B. Miller, P. W. Smith, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, IEEE J. Quantum Electron. QE-20, 265 (1984).
45. J. Filipowicz, C. Ghezzi, and L. Tarricone, Solid State Commun. 74, 533 (1990).
46. J. Lee, E. S. Koteles, and M. O. Vassell, Phys. Rev. B 33, 5512 (1986).
47. M. A. Stroscio, G. J. Iafrate, K. W. Kim, M. A. Littlejohn, H. Goronkin, and G. N. Maracas, Appl. Phys. Lett. 59, 1093 (1991).