High transconductance nitride MOSHFETs

Materials Science and Engineering: B

Volumn 110, Issue 1, 2004, Pages 32-33

  Liu, C H ^a   Wang, C K ^b   Chang, S J ^b   Su, Y K ^b  

^a NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

AlGaN GaN; MOSHFET; Photo CVD; SiO2

Indexed keywords

AMPLIFIERS (ELECTRONIC); CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRODES; ELECTRON TUBES; EVAPORATORS; LEAKAGE CURRENTS; MOSFET DEVICES; PHOTOLITHOGRAPHY;

ALGAN/GAN; METAL OXIDE HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS (MOSHFET); PHOTO-CVD; SIO2;

NITRIDES;

EID: 2342598394     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mseb.2004.01.011     Document Type: Article

References (17)

1. Burm J., Chu K., Schaff W.J., Eastman L.F., Khan M.A., Chen Q., Yang J.W., Shur M.S. IEEE Electron. Dev. Lett. 18:1997;141.
2. Gaska R., Chen Q., Yang J., Osinsky A., Khan M.A., Shur M.S. IEEE Electron. Dev. Lett. 18:1997;492.
3. Sullivan G.J., Chen M.Y., Higgins J.A., Yang J.W., Chen Q., Pierson R.C., McDermott B.T. IEEE Electron. Dev. Lett. 19:1998;198.
4. Ping A.T., Chen Q., Yang J.W., Khan M.A., Adesida I. IEEE Electron. Dev. Lett. 19:1998;54.
5. Chumbes E.M., Smart J.A., Prunty T., Shealy J.R. IEEE Trans. Electron. Dev. 48:2001;416.
6. Ren F., Hong M., Chu S.N.G., Marcus M.A., Schurman M.J., Baca A., Pearton S.J., Abernathy C.R. Appl. Phys. Lett. 73:1998;3893.
7. Johnson J.W., Luo B., Ren F., Gila B.P., Krishnamoorthy W., Abernathy C.R., Pearton S.J., Chyi J.I., Nee T.E., Lee C.M., Chuo C.C. Appl. Phys. Lett. 77:2000;3230.
8. Khan M.A., Hu X., Sumin G., Lunev A., Yang J., Gaska R., Shur M.S. IEEE Electron. Dev. Lett. 21:2000;63.
9. Chou D.W., Lee K.W., Huang J.J., Wu H.R., Wang Y.H., Houng M.P., Chang S.J., Su Y.K. Jpn. J. Appl. Phys. 41:2002;L748.
10. Lin C.T., Su Y.K., Chang S.J., Huang H.T., Chang S.M., Sun T.P. IEEE Photon. Technol. Lett. 9:1997;232.
11. Lin C.T., Su Y.K., Huang H.T., Chang S.J., Chen G.S., Sun T.P., Luo J.J. IEEE Photon. Technol. Lett. 8:1996;676.
12. Chang S.J., Lee M.L., Sheu J.K., Lai W.C., Su Y.K., Chang C.S., Kao C.J., Chi G.C., Tsai J.M. IEEE Electron. Dev. Lett. 24:2004;212.
13. Chang S.J., Chang C.S., Su Y.K., Chuang R.W., Lin Y.C., Shei S.C., Lo H.M., Lin H.Y., Ke J.C. IEEE J. Quantm. Electron. 39:2003;1439.
14. Chang S.J., Kuo C.H., Su Y.K., Wu L.W., Sheu J.K., Wen T.C., Lai W.C., Chen J.F., Tsai J.M. IEEE J. Sel. Top. Quantm. Electron. 8:2002;744.
15. Chang S.J., Lai W.C., Su Y.K., Chen J.F., Liu C.H., Liaw U.H. IEEE J. Sel. Top. Quantm. Electron. 8:2002;278.
16. Chiou Y.Z., Chang C.S., Chang S.J., Su Y.K., Chiou J.R., Huang B.R., Chen J.F. J. Vac. Sci. Technol. 21:2003;329.
17. Chang S.J., Su Y.K., Chiou Y.Z., Chiou J.R., Huang B.R., Chang C.S., Chen J.F. J. Electrochem. Soc. 150:2003;C77.