GaN MIS capacitors with photo-CVD SiNxOy insulating layers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 6, 2005, Pages

  Chang, S J ^a   Wang, C K ^a   Su, Y K ^a   Chang, C S ^a   Lin, T K ^a   Ko, T K ^a   Liu, H L ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC INSULATORS; ELECTRODEPOSITION; SILICON COMPOUNDS; SURFACE ROUGHNESS; THERMAL INSULATING MATERIALS; ULTRAVIOLET DETECTORS;

EXCITATION SOURCE; RADIATION HARDNESS; TEMPERATURE CONTROLLERS; VACUUM SYSTEM;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 22544486298     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1896308     Document Type: Article

References (30)

1. A. Koudymov, G. Simin, M. A. Khan, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shut, IEEE Electron Device Lett., 24, 680 (2003).
2. C. Q. Chen, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A. Koudymov, H. Fatima, G. Simin, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 82, 4593 (2003).
3. Y. K. Su, S. C. Wei, R. L. Wang, S. J. Chang, C. H. Ko, and T. M. Kuan, IEEE Electron Device Lett., 24, 622 (2003).
4. Y. Irokawa, B. Luo, F. Ren, C. C. Pan, G. T. Chen, J. I. Chyi, S. S. Park, Y. J. Park, and S. J. Pearton, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G8 (2004).
5. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 83, 4336 (2003).
6. C. T. Lee, H. W. Chen, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 4304 (2003).
7. B. P. Gila, J. Kim, B. Luo, A. Onstine, W. Johnson, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Solid-State Electron., 47, 2139 (2003).
8. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
9. K. Matocha, R. J. Gutmann, and T. P. Chow, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 1200 (2003).
10. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett., 77, 3230 (2000).
11. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillageon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1453 (2000).
12. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 73, 809 (1998).
13. C. T. Lee, H. Y. Lee, and H. W. Chen, IEEE Electron Device Lett., 24, 54 (2003).
14. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 458 (2003).
15. K. M. Chang, C. C. Cheng, and C. C. Lang, Solid-State Electron., 46, 1399 (2002).
16. S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, B. R. Huang, C. S. Chang, and J. F. Chen, J. Electrochem. Soc., 150, C77 (2003).
17. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, J. Gong, C. S. Chang, and S. H. Liu, J. Electron. Mater., 32, 395 2003).
18. C. K. Wang, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, B. R. Huang, T. K. Lin, and S. C. Chen, J. Electron. Mater., 32, 407 (2003).
19. Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, T. K. Lin, and B. R. Huang, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 1748 (2003).
20. C. K. Wang, T. K. Lin, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kuo, and T. K. Ko, Semicond. Sci. Technol., 18, 1033 (2003).
21. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, T. K. Lin, and B. R. Huang, Phys. Status Solidi C, 0, 2355 (2003).
22. A. B. Joshi and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 13, 360 (1992).
23. J. Ahn, A. Joshi, G. O. Lo, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 13, 513 (1992).
24. G. Q. Lo, A. B. Joshi, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 40, 1565 (1993).
25. E. Ibok, K. Ahmed, M. Y. Hao, B. Ogle, J. J. Wortman, and J. R. Hauser, IEEE Electron Device Lett., 20, 442 (1999).
26. Y. Wu, Y. M. Lee, and G. Lucovsky, IEEE Electron Device Lett., 21, 116 (1999).
27. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York (1981).
28. J. Frenkel, Tech. Phys. USSR, 5, 685 (1938).
29. J. Frenkel, Phys. Rev., 54, 647 (1938).
30. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, p. 96, Wiley, New York (1982).