Influence of Ge concentration and compressive biaxial stress on interdiffusion in Si-rich SiGe alloy heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 1, 2005, Pages

  Aubertine, D B ^a   McIntyre, P C ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENTHALPY; CHEMICAL DIFFUSION; INTERDIFFUSION MODELS; INTERMIXING;

COCHANNEL INTERFERENCE; COMPOSITION; COMPRESSIVE STRESS; ENTHALPY; EPITAXIAL GROWTH; INTERDIFFUSION (SOLIDS); SILICON ALLOYS; X RAY DIFFRACTION;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 19944430377     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1828240     Document Type: Article

References (38)

1. P. M. Mooney, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001, 86.
2. S. J. Koester, K. Rim, J. O. Chu P. M. Mooney, J. A. Ott, and M. A. Hargrove, Appl. Phys. Lett. 79, 2148 (2001).
3. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
4. H. Klauk, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 68, 1975 (1996).
5. M. Griglione, T. J. Anderson, and Y. M. Haddara, J. Appl. Phys. 88, 1366 (2000).
6. N. E. B. Cowern, P. C. Zalm, and P. Vandersluis, Phys. Rev. Lett. 72, 2585 (1994).
7. N. E. B. Cowern, W. J. Kersten, R. C. M. De Kruif, J. G. M. Van Berkum, W. B. De Boer, D. J. Gravesteijn, and C. W. T. Bulle-Liewma, Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Devices, Los Angeles, CA, May 5-10, 1996, p. 195.
8. B. Hollander, R. Butz, and S. Mantl, Phys. Rev. B 46, 6975 (1992).
9. S. S. Iyer and F. K. Legoues, J. Appl. Phys. 65, 4693 (1989).
10. R. Schorer, E. Friess, K. Eberl, and G. Abstreiter, Phys. Rev. B 44, 1772 (1991).
11. P. Boucaud, L. Wu, C. Guedj, F. H. Julien, I. Sajnes, Y. Campidelli. and L. Garchery, J. Appl. Phys. 80, 1414 (1996).
12. J. M. Baribeau, J. Appl. Phys. 74, 3805 (1993).
13. J. M. Baribeau, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1568 (1998).
14. S. M. Prokes and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 56, 2628 (1990).
15. S. M. Prokes, O. J. Glembocki, and D. J. Godbey, Appl. Phys. Lett. 60, 1087 (1992).
16. A. Csik, G. A. Langer, D. L. Beke, Z. Erdelyi, M. Menyhard, and A. Sulyok, J. Appl. Phys. 89, 804 (2001).
17. G. L. Mcvay and A. R. Ducharme, Phys. Rev. B 9, 627 (1974).
18. N. R. Zangenberg, J. L. Hansen, J. Fage-Pedersen, and A. N. Larsen, Phys. Rev. Lett. 87, 125901 (2001).
19. A. Strohm, T. Voss, W. Frank, J. Raisanen, and M. Dietrich, Physica B 308-310. 542 (2001).
20. A. Strohm, T. Voss, W. Frank, P. Laitinen, and J. Raisanen, Z. Metallkd. 93, 737 (2002).
21. M. J. Aziz, Appl. Phys. Lett. 70, 2810 (1997).
22. P. M. Mooney, J. A. Ott, J. O. Chu, and J. L. Jordan-Sweet, Appl. Phys. Lett. 73, 924 (1998).
23. D. B. Aubertine, N. Ozguven, P. C. McIntyre, and S. Brennan, J. Appl. Phys. 94, 1557 (2003).
24. A. L. Greer and F. Spaepen, in Synthetic Modulated Structures, edited by, L. L. Chang, and, B. C. Giesson, (Academic, Press Orlando, 1985).
25. E. M. Philofsky and J. E. Hilliard, J. Appl. Phys. 40, 2198 (1969).
26. D. B. Aubertine, Ph.D. thesis, Stanford University, 2004.
27. A. Lessmann, S. Brennan, A. Munkholm, M. Schuster, H. Riechert, and G. Materlik, Phys. Rev. B 59, 10801 (1999).
28. W. J. Bartels, J. Hornstra, and D. J. W. Lobeek, Acta Crystallogr., Sect. A: Found. Crystallogr. A42, 539 (1986).
29. H. Bracht, E. E. Haller, and R. Clark-Phelps, Phys. Rev. Lett. 81, 393 (1998).
30. A. Antonelli and J. Bernholc, Phys. Rev. B 40, 10643 (1989).
31. A. Ural, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Phys. Rev. Lett. 83, 3454 (1999).
32. A. Willoughby, J. M. Bonar, and A. Paine, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 568, 253 (1999).
33. M. Werner, H. Mehrer, and H. D. Hochheimer, Phys. Rev. B 32, 3930 (1985).
34. J. W. Cahn, Acta Metall. 9, 795 (1961).
35. H. E. Cook and D. De Fontaine, Acta Metall. 0001-6160 10.1016/0001-6160(71)90013-7 19, 607 (1971) (see Ref.); D. B. Aubertine, M. A. Mander, and N. Ozguven, J. Appl. Phys. 92, 5027 (2002).
36. H. E. Cook and D. De Fontaine, Acta Metall. 0001-6160 10.1016/0001-6160(71)90013-7 19, 607 (1971) (see Ref.); D. B. Aubertine, M. A. Mander, and N. Ozguven, J. Appl. Phys. 92, 5027 (2002).
37. D. J. Meyer, Silicon Epitaxy 72, 345 (2001).
38. A. N. Larsen, Mater. Sci. Eng., B 71, 6 (2000).