Size effect and fatigue mechanism in ferroelectric thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 8, 2002, Pages 4594-4598

  Jin, H Z ^a   Zhu, Jing ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPLIED VOLTAGES; BULK COUNTERPART; ELECTRICAL CYCLING; FATIGUE MECHANISM; HIGH-DENSITY; INTERFACIAL DEFECT; INTERFACIAL LAYER; LEAD ZIRCONATE TITANATE; METAL ELECTRODES; POTENTIAL MATERIALS; PZT FILM; PZT THIN FILM; RANDOM ACCESS MEMORIES; SCREENING EFFECT; SCREENING MECHANISM; SIZE EFFECTS; SWITCHABLE POLARIZATION;

FERROELECTRIC FILMS; FERROELECTRIC MATERIALS; FERROELECTRIC THIN FILMS; SEMICONDUCTING LEAD COMPOUNDS;

BARIUM STRONTIUM TITANATE;

EID: 18744374438     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1506193     Document Type: Article

References (47)

1. A. I. Kingon, S. K. Streiffer, C. Basceri, and S. R. Summerfelt, MRS Bull. 21, 46 (1996). mbu MRSBEA 0883-7694
2. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000). nat NATUAS 0028-0836
3. J. F. Scott and C. A. P. de Araujo, Science 246, 1400 (1989). sci SCIEAS 0036-8075
4. O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51, 22 (1998). pto PHTOAD 0031-9228
5. T. W. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P. C. McIntyre, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 263 (2000). arm ARMSCX 0084-6600
6. W. J. Merz, J. Appl. Phys. 27, 938 (1956). jap JAPIAU 0021-8979
7. H. Schlosser and M. E. Drougard, J. Appl. Phys. 32, 1227 (1961). jap JAPIAU 0021-8979
8. C. Basceri, S. K. Streiffer, A. I. Kingon, and R. Waser, J. Appl. Phys. 82, 2497 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
9. S. K. Streiffer, C. Basceri, C. B. Parker, S. E. Lash, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
10. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. Taylor, and P. V. Veldhoven, J. Appl. Phys. 76, 2405 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
11. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
12. I. Levin, R. D. Leapman, D. L. Kaiser, P. C. van Buskirk, S. Bilodeau, and R. Carl, Appl. Phys. Lett. 75, 1299 (1999). apl APPLAB 0003-6951
13. D. E. Kotecki et al., IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999). ibm IBMJAE 0018-8646
14. J. J. Lee, C. L. Thio, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 78, 5073 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
15. H. Z. Jin, J. Zhu, P. Ehrhart, F. Fitsilis, C. L. Jia, S. Regnery, K. Urban, and R. Waser (unpublished).
16. W. L. Warren, D. Dimos, and R. M. Waser, MRS Bull. 21, 40 (1996). mbu MRSBEA 0883-7694
17. E. Fatuzzo and W. J. Merz, Ferroelectricity (North-Holland, Amsterdam, 1967).
18. C. B. Eom, R. B. van Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993). apl APPLAB 0003-6951
19. R. Ramesh et al., Appl. Phys. Lett. 61, 1537 (1992). apl APPLAB 0003-6951
20. R. Ramesh, H. Gilchrist, T. Sands, V. G. Keramidas, R. Haakenaasen, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 3592 (1993). apl APPLAB 0003-6951
21. C. A. P. de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995). nat NATUAS 0028-0836
22. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, T. J. Boyle, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett. 68, 690 (1996). apl APPLAB 0003-6951
23. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. 76, 1060 (2000). apl APPLAB 0003-6951
24. J. F. Scott and M. Dawber, Appl. Phys. Lett. 76, 3801 (2000). apl APPLAB 0003-6951
25. J. F. Scott and M. Dawber, J. Phys. IV 11, 9 (2001). jpv JPICEI 1155-4339
26. R. J. D. Tilley, J. Solid State Chem. 21, 293 (1977). jss JSSCBI 0022-4596
27. K. Abe and S. Komatsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L1157 (1993). jjc JAPLD8 0021-4922
28. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
29. K. Hieda et al., Proceedings of the International Electronic Devices Meeting 1998, pp. 807-810.
30. R. Williams, J. Phys. Chem. Solids 26, 399 (1965). jpx JPCSAW 0022-3697
31. P. Glogar and V. Janovec, Czech. J. Phys., Sect. B 13, 261 (1963).
32. J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. M. Wolf, J. Appl. Phys. 81, 2777 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
33. J. S. Wu, C. L. Jia, K. Urban, J. H. Hao, and X. X. Xi, J. Appl. Phys. 89, 5653 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
34. J. Zhu, X. Zhang, Y. Zhu, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 83, 1610 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
35. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999). nat NATUAS 0028-0836
36. S. E. Cummins, J. Appl. Phys. 35, 3045 (1964). jap JAPIAU 0021-8979
37. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H. D. Kim, T. H. Kim, and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 74, 1907 (1999). apl APPLAB 0003-6951
38. B. S. Kang, B. H. Park, S. D. Bu, S. H. Kang, and T. W. Noh, Appl. Phys. Lett. 75, 2644 (1999). apl APPLAB 0003-6951
39. M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo, and O. Omoto, Mater. Sci. Eng., B 41, 138 (1996). msb MSBTEK 0921-5107
40. J. Robertson, C. W. Chen, W. L. Warren, and C. D. Gutleben, Appl. Phys. Lett. 69, 1704 (1996). apl APPLAB 0003-6951
41. Y. Yan, M. M. Al-Jassim, Z. Xu, X. Lu, D. Viehland, and M. Payne, Appl. Phys. Lett. 75, 1961 (1999). apl APPLAB 0003-6951
42. C. F. Pulvari and J. R. Srour, IEEE Trans. Electron Devices 16, 532 (1969). etd IETDAI 0018-9383
43. T. Watanabe, H. Funakubo, and K. Saito, J. Mater. Res. 16, 303 (2001). jmr JMREEE 0884-2914
44. T. Watanabe, A. Saiki, K. Saito, and H. Funakubo, J. Appl. Phys. 89, 3934 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
45. A. M. Bratkovsky and A. P. Levanyuk, Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000). prl PRLTAO 0031-9007
46. Y. A. Boikov, B. M. Goltsman, V. K. Yarmarkin, and V. V. Lemanov, Appl. Phys. Lett. 78, 3866 (2001). apl APPLAB 0003-6951
47. I. Stolichnov and A. Tagantsev, J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998). jap JAPIAU 0021-8979