Optical properties of GaN layers grown on C-, A-, R-, and M-plane sapphire substrates by gas source molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 12, 1999, Pages 8386-8399

  Tripathy, S ^a   Soni, R K ^a   Asahi, H ^b   Iwata, K ^b   Kuroiwa, R ^b   Asami, K ^b   Gonda, S ^b  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI   (India)

^b OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001231034     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370686     Document Type: Article

References (47)

1. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
2. A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, J. Myoung, and H. Morcoc, J. Appl. Phys. 77, 4455 (1995).
3. B. Monemar and O. Lagerstedt, J. Appl. Phys. 50, 6480 (1979).
4. B. Monemar, O. Lagerstedt, and H. P. Gislason, J. Appl. Phys. 51, 625 (1980).
5. T. Sasaki and S. Zembutsu, J. Appl. Phys. 61, 2533 (1987).
6. T. Lei, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 74, 4430 (1993).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
8. D. Bher, J. Wagner, J. Schneider, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 68, 2404 (1996).
9. D. Jiang, M. Ramsteiner, K. H. Ploog, H. Tews, A. Graber, R. A. Verbeck, and H. Riechart, Appl. Phys. Lett. 72, 365 (1998).
10. W. Shan, T. J. Smith, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
11. B. Gil, O. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
12. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
13. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S. H. Wei, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
14. B. Gil, F. Hamdani, and H. Morkoc, Phys. Rev. B 54, 7678 (1996).
15. B. Gil and O. Briot, Phys. Rev. B 55, 2530 (1997).
16. B. Gil and A. Alemu, Phys. Rev. B 56, 12446 (1997).
17. A. Alemu, B. Gil, M. Julier, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 57, 3761 (1998).
18. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitna, A. S. Polkovnikov, A. N. Smimov, M. A. Jacobson, and Q. W. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
19. T. Kozawa, T. Kashi, H. Kono, H. Nagase, K. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).
20. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, 661 (1997).
21. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
22. P. Perlin, C. J. Carrilon, J. Itie, A. S. Miguel, I. Grezegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992).
23. F. Demangeot, J. Frandon, M. Renucci, O. Briot, B. Gil, and R. Aulombard, Solid State Commun. 100, 267 (1996).
24. F. Demangeot, M. A. Renucci, J. Frandon, and O. Briot, Mater. Sci. Eng., B 43, 26 (1997).
25. H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1384 (1988).
26. B. J. Skromme, H. Zhao, D. Wang, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. Bulman, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 829 (1997).
27. O. Gfrörer, T. Schlüsener, V. Härte, F. Scholz, and A. Hangleiter, Mater. Sci. Eng., B 43, 250 (1997).
28. C. Kisielowski et al., Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
29. W. Reiger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacer, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996).
30. S. T. Kim, Y. J. Lee, D. C. Moon, C. Lee, and H. Y. Park, J. Electron. Mater. 127, 112 (1998).
31. W. Shan, X. C. Xie, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 67, 2512 (1995).
32. A. K. Vishwanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, and C. Hong, J. Appl. Phys. 84, 3848 (1998).
33. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarv, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 79, 2675 (1996).
34. A. K. Vishwanath, J. I. Lee, D. Kim, C. R. Lee, and J. Y. Leen, Phys. Rev. B 58, 16333 (1998).
35. J. J. Hopfield and D. G. Thomas, Phys. Rev. 132, 563 (1963).
36. T. Ogino and M. Akoi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 19, 2395 (1980); J. I. Pankove and J. A. Hutchly, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976); T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188 (1995).
37. T. Ogino and M. Akoi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 19, 2395 (1980); J. I. Pankove and J. A. Hutchly, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976); T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188 (1995).
38. T. Ogino and M. Akoi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 19, 2395 (1980); J. I. Pankove and J. A. Hutchly, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976); T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188 (1995).
39. K. Hiramatsu, T. Detchprohm, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 1528 (1993).
40. D. Volm et al., Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).
41. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 66, 3474 (1995).
42. N. V. Edwards, S. D. Yoo, M. D. Bremser, T. W. Weeks, Jr., O. H. Nam, H. Liu, R. A. Stall, M. Horton, N. R. Perkins, T. F. Kuech, and D. E. Aspenes, Appl. Phys. Lett. 70, 2001 (1997).
43. W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 13460 (1996).
44. W. G. Perry, T. Zheleva, M. D. Bremser, R. F. Davis, W. Shan, and J. J. Song, J. Electron. Mater. 26, 224 (1997).
45. H. Fröhlich, Adv. Phys. 3, 325 (1954).
46. X. Li, Z. Sun, J. P. Jhang, M. Y. Kong, and S. F. Yoon, Appl. Phys. Lett. 72, 936 (1998).
47. C. A. Arguello, D. L. Rousseau, and S. P. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (1969).