High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 3, 2001, Pages 335-337

  Semond, F ^a   Lorenzini, P ^a   Grandjean, N ^a   Massies, J ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001173576     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1339264     Document Type: Article

References (20)

1. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
2. D. M. Follstaedt, J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.72 (1999).
3. H. Ishikawa, G.-Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L492 (1999).
4. E. Calleja, M. A. Sánchez-García, F. J. Sánchez, F. Calle, F. B. Naranjo, E. Muñoz, S. I. Molina, A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, and R. García, J. Cryst. Growth 201/202, 296 (1999).
5. H. Lahrèche, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Laügt, P. Lorenzini, M. Leroux, B. Beaumont, and P. Gibart, J. Cryst. Growth 217, 13 (2000).
6. F. Semond, B. Damilano, S. Vézian, N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999).
7. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998);
8. 73, 1487 (1998).
9. C. A. Tran, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr., and I. Berishev, Appl. Phys. Lett. 75, 1494 (1999).
10. J. W. Yang, A. Lunev, G. Simin, A. Chitnis, M. Shatalov, M. Asif Khan, J. E. Van Nostrand, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 76, 273 (2000).
11. A. T. Shremer, J. A. Smart, Y. Wang, O. Ambacher, N. C. MacDonald, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 76, 736 (2000).
12. H. Lahrèche, M. Leroux, M. Laügt, M. Vaille, B. Beaumont, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 87, 577 (2000).
13. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 74, 2361 (1999).
14. L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C. Reynolds, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1275 (1998).
15. C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. Den Baars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
16. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska, and D. Maude, Appl. Phys. Lett. 77, 2551 (2000).
17. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
18. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
19. L. K. Li, B. Turk, W. I. Wang, S. Syed, D. Simonian, and H. L. Stormer, Appl. Phys. Lett. 76, 742 (2000).
20. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).