Residual strain effects on the two-dimensional electron gas concentration of AIGaN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 9, 2001, Pages 4735-4740

  Martinez Criado G ^a   Cros, A ^a   Cantarero, A ^a   Ambacher, O ^b   Miskys, C R ^b   Dimitrov, R ^b   Stutzmann, M ^b   Smart, J ^c   Shealy, J R ^c  

^a UNIVERSITY OF VALENCIA   (Spain)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^c Cornell University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035502935     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1408268     Document Type: Article

References (18)

1. Y-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
2. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. L. C. Nguyen, T. J. Jenkins, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
3. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. Asif Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 12, 707 (1998).
4. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
5. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 85, 3223 (1999).
6. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
7. R. Dimitrov, L. Wittmer, H. P. Felsl, A. Mitchell, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 168, R7 (1998).
8. E. T. Yu, Z. Dang, L. S. Yu, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, G. J. Sullivan, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998).
9. G. Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, O. Ambacher, C. R. Miskys, R. Dimitrov, and M. Stutzmann, Phys. Rev. B (to be published).
10. K. Korntizer, T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B 60, 1471 (1999).
11. B. J. Skromme, J. Jayapalan, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 74, 2358 (1999).
12. P. Perlin, C. Jauberthie-Carllon, J. P. Itie, A. S. Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992).
13. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, O. Briot, B. Gil, and R. L. Aulombard, Solid State Commun. 100, 207 (1996).
14. A. Cros, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, and T. Metzger, Solid State Commun. 104, 35 (1997).
15. W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996).
16. D. R. Lovett, in Tensor Properties of Crystals (Institute of Physics Publishing Ltd. London, 1989).
17. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
18. G. Steude, B. K. Meyer, A. Göldner, A. Hoffmann, A. Kaschner, F. Bechstedt, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L498 (1999).