InAs quantum dots on GaAs(2511)B: STM and photoluminescence studies

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 71, Issue 4, 2005, Pages

  Temko, Y ^a   Suzuki, T ^a   Xu, M C ^a   Potschke K ^b   Bimberg, D ^b   Jacobi, K ^a  

^a FRITZ HABER INSTITUT DER MAX PLANCK GESELLSCHAFT   (Germany)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM ARSENIDE; INDIUM ARSENIDE; METAL COMPLEX; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CONFORMATIONAL TRANSITION; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRON DIFFRACTION; ENERGY; FIELD EMISSION; IMAGE RECONSTRUCTION; MOLECULAR SIZE; OPTICAL ROTATION; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM DOT; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; STRUCTURE ANALYSIS; SURFACE PROPERTY;

EID: 15744378858     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.71.045336     Document Type: Article

References (45)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1999).
2. Semiconductor Quantum Dots, edited by Y. Masumoto and T. Takagahara (Springer, Berlin, 2002).
3. Nano-optoelectronics: Concepts, physics and devices, edited by M. Grundmann (Springer, Berlin, 2002).
4. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
5. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
6. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
7. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
8. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
9. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994); M. Henini, S. Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty, and P. H. Beton, Microelectron. J. 28, 933 (1997); S. C. Fortina, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, and L. Eaves, J. Cryst. Growth 187, 126 (1998); J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997); H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996); S. E. Hooper, D. I. Westwood, D. A. Woolf, S. S. Heghoyan, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 8, 1069 (1993).
10. J. Márquez, L. Geelhaar, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 78, 2309 (2001).
11. T. Suzuki, Y. Temko, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 80, 4744 (2002).
12. Y. Temko, T. Suzuki, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 82, 2142 (2003).
13. Y. Temko, T. Suzuki, P. Kratzer, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 68, 165310 (2003).
14. Y. Temko, T. Suzuki, M. C. Xu, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 83, 3680 (2003).
15. M. C. Xu, Y. Temko, T. Suzuki, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 84, 2283 (2004).
16. Y. Temko, T. Suzuki, M. C. Xu, and K. Jacobi (unpublished).
17. G. Costantini, C. Manzano, R. Songmuang, O. G. Schmidt, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 82, 3194 (2003).
18. Y. Temko, L. Geelhaar, T. Suzuki, and K. Jacobi, Surf. Sci. 513, 328 (2002).
19. K. Jacobi, L. Geelhaar, and J. Marquez, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 75, 113 (2002).
20. K. Jacobi, Prog. Surf. Sci. 71, 185 (2003).
21. T. Suzuki, Y. Temko, M. C. Xu, and K. Jacobi, Surf. Sci. 548, 333 (2004).
22. L. Geelhaar, J. Marquez, P. Kratzer, and K. Jacobi, Phys. Rev. Lett. 86, 3815 (2001).
23. In this study we have horizontally mirrored the STM results in order to transfer them to the commonly used atomic geometry of the substrate - i.e., (2 5 11) - known from its inventors (see Ref. 17).
24. P. Geng, J. Márquez, L. Geelhaar, J. Platen, C. Setzer, and K. Jacobi, Rev. Sci. Instrum. 71, 504 (2000).
25. Y. Hasegawa, H. Kiyama, Q. K. Xue, and T. Sakurai, Appl. Phys. Lett. 72, 2265 (1998).
26. D. K. Biegelsen, R. D. Bringans, J. E. Northrup, and L.-E. Swartz, Phys. Rev. Lett. 65, 452 (1990).
27. J. Marquez, L. Geelhaar, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 62, 9969 (2000).
28. J. Platen, C. Setzer, W. Ranke, and K. Jacobi, Appl. Surf. Sci. 123/124, 43 (1998).
29. N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, and M. Scheffler, Phys. Rev. B 54, 8844 (1996).
30. J. Platen, A. Kley, C. Setzer, K. Jacobi, P. Ruggerone, and M. Scheffler, J. Appl. Phys. 85, 3597 (1999).
31. L. Geelhaar, J. Marquez, K. Jacobi, A. Kley, P. Ruggerone, and M. Scheffler, Microelectron. J. 30, 393 (1999).
32. S. Horng, K. Young, and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2039 (1989).
33. L. Geelhaar, J. Marquez, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 60, 15 890 (1999).
34. L. Geelhaar, Y. Temko, J. Márquez, P. Kratzer, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 65, 155308 (2002).
35. D. E. Jesson, G. Chen, K. M. Chen, and S. J. Pennycook, Phys. Rev. Lett. 80, 5156 (1998).
36. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
37. M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schmidt, K. Eberl, and N. Y. Jin-Phillipp, Appl. Phys. Lett. 77, 1789 (2000).
38. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, A. E. Zhukova, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Z. I. Alferov, R. Heitz, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Physica E (Amsterdam) 7, 326 (2000).
39. J. X. Chen, A. Markus, A. Fiore, U. Oesterle, R. P. Stanley, J. F. Carlin, R. Houdré, M. Ilegems, L. Lazzarini, L. Nasi, M. T. Todaro, E. Piscopiello, R. Cingolani, M. Catalano, J. Katcki, and J. Ratajczak, J. Appl. Phys. 91, 6710 (2002).
40. A. Passaseo, M. De Vittorio, M. T. Todaro, I. Tarantini, M. De Giorgi, R. Cingolani, A. Fiore, A. Markus, J. X. Chen, C. Paranthoen, U. Oesterle, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 82, 3632 (2003).
41. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, Phys. Rev. B 64, 235317 (2001).
42. T. Suzuki, Y. Temko, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 67, 045315 (2003).
43. O. G. Schmidt, S. Kiravittaya, Y. Nakamura, H. Heidemeyer, R. Songmuang, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, K. Eberl, H. Wawra, S. Christiansen, H. Gräbeldinger, and H. Schweizer, Surf. Sci. 514, 10 (2002).
44. R. Heitz, T. R. Ramachandran, A. Kalburge, Q. Xie, I. Mukhametzhanov, P. Chen, and A. Madhukar, Phys. Rev. Lett. 78, 4071 (1997).
45. http://w3.rz-berlin.mpg.de/pc/ElecSpec/