MOCVD of strontium tantalate thin films using novel bimetallic alkoxide precursors

Chemical Vapor Deposition

Volumn 5, Issue 1, 1999, Pages 9-12

  Crosbie, Michael J ^b   Wright, Peter J ^b   Davies, Hywel O ^c   Jones, Anthony C ^a   Leedham, Timothy J ^a   O'Brien, Paul ^c   Critchlow, Gary W ^d  

^a Inorgtech Limited   (United Kingdom)

^b DEFENCE SCIENCE AND TECHNOLOGY LABORATORY   (United Kingdom)

^c IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^d LOUGHBOROUGH UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002376288     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(sici)1521-3862(199901)5:1<9::aid-cvde9>3.3.co;2-2     Document Type: Article

References (21)

1. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, M. C. Scott, L. D. McMillan, Int. Patent WO 93/1254,2, 1993.
2. J. F. Scott, F. M. Ross, C. A. Paz de Araujo, M. C. Scott, M. Huffman, in Electroceramic Thin Films, Part II: Device Applications (Eds: O. Auciello, R. Ramesh), MRS Bull. 1996, 21(7), 33.
3. Y. Itoh, M. Ushikubo, S. Yokoyama, H. Matsunaga, T. Atsuki, T. Yonezawa, K. Ogi, Int. Ferroelectrics 1997, 14, 123.
4. T. Mihara, H. Yoshimori, H. Watanabe, C. A. Paz de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 5233.
5. T. Atsuki, N. Soyama, T. Yonezawaq, K. Ogi, Jpn. J. Appl Phys. 1995, 34, 5096.
6. P. X. Yang, N. S. Zhou, L. R. Zheng, H. X. Lu, C. L. Lin, J. Phys. D: Appl. Phys. 1997, 30, 527.
7. T. Ami, K. Hironaka, C. Isobe, N. Nagel, M. Sugiyama, Y. Ikeda, K. Watanabe, A. Machida, K. Miura, M. Tanaka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, 415, 195.
8. T. Li, S. Desu, C. H. Peng, M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 616.
9. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, M. Nagata, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, 415, 189.
10. Y. Kojima, H. Kodakura, Y. Pkahara, M. Matsumoto, T. Mogi, Int. Ferroelectrics 1997, 18, 183.
11. A. A. Wernberg, H. J. Gysling, Chem. Mater. 1993, 5, 1056.
12. A. A. Wernberg, H. J. Gysling, A. J. Filo, T. N. Blanton, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 946.
13. A. A. Wernberg, G. H. Braunstein, G. Paz-Pujalt, H. J. Gysling, T. N. Blanton, Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 331.
14. D. C. Bradley, Chem. Rev. 1989, 89, 1317.
15. W. A. Herrmann, N. W. Huber, O. Runte, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995, 34, 2187.
16. H. O. Davies, A. C. Jones, T. J. Leedham, P. O'Brien, A. J. P. White, D. J. Williams, J. Mater. Chem. 1998, 8, 2815.
17. A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, D. J. Williams, P. A. Lane, P. O'Brien, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998, 495, 11.
18. A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, K. A. Fleeting, D. J. Otway, P. O'Brien, M. E. Pemble, J. Mater. Chem. 1998, 8, 1885.
19. M. A. Matchet, M. Y. Chiang, W. E. Buhro, Inorg Chem, 1990, 29, 358.
20. T. Won, S. Yoon, H. Kim, J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 3284.
21. A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, P. A. Lane, D. J. Williams, K. A. Fleeting, D. J. Otway, P. O'Brien, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 46.