Strain relaxation of GeSi/SI(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 12, 2004, Pages 7665-7674

  Bolkhovityanov, Yu B ^a   Deryabin, A S ^a   Gutakovskii, A K ^a   Revenko, M A ^a   Sokolov, L V ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

^b TOMSK STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRON BEAMS; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; STRAIN; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ELASTIC DEFORMATIONS; ELECTRON-BEAM EVAPORATORS; REFLECTED HIGH-ENERGY ELECTRON DIFFRACTOMETERS (RHEED); THREADING DISLOCATIONS;

GERMANIUM COMPOUNDS;

EID: 11044231578     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1809772     Document Type: Article

References (45)

1. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and M. Zhou, J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
2. K. K. Linder, F. C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, and D. Houghton, Appl. Phys. Lett. 70, 3224 (1997).
3. J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).
4. C. S. Peng et al., Appl. Phys. Lett. 72, 3160 (1998).
5. J. H. Li, C. S. Peng, Z. H. Mai, J. M. Zhou, Q. Huang, and D. Y. Dai, J. Appl. Phys. 80, 1292 (1999).
6. P. I. Gaiduk, A. N. Larsen, and J. L. Hansen, Thin Solid Films 367, 120 (2000).
7. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, O. P. Pchelyakov, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov, Thin Solid Films 392, 98 (2001).
8. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, O. P. Pchelyakov, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov, J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002).
9. A. P. Knights et al., J. Appl. Phys. 89, 76 (2001).
10. T. Ueno, T. Irisawa, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 227, 761 (2001).
11. E. Kasper, K. Lyutovich, M. Bauer, and M. Oehme, Thin Solid Films 336, 319 (1998).
12. M. Bauer, K. Lyutovich, M. Oehme, E. Kasper, H.-J. Herzog, and F. Ernst, Thin Solid Films 369, 152 (2000).
13. W.-X. Ni, K. Lyutovich, J. Alami, C. Tengstedt, M. Bauer, and E. Kasper, J. Cryst. Growth 227/228, 756 (2001).
14. D. D. Perovic, G. C. Weatherly, I.-M. Baribeau, and D. C. Houghton, Thin Solid Films 183, 141 (1989).
15. Yu, B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, and S. I. Chikichev, Phys. Usp. 44, 655 (2001).
16. Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, and S. I. Chikichev, Semiconductors 37, 493 (2003).
17. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).
18. C. G. Tuppen and C. J. Gibbings, J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990).
19. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov, Thin Solid Films 466, 69 (2004).
20. T. Spila et al., J. Appl. Phys. 91, 3579 (2002).
21. R. Hull, J. C. Bean, J. M. Bonar, G. S. Higashi, K. T. Short, H. Temkin, and A. E. White, Appl. Phys. Lett. 56, 2445 (1990).
22. M. Luysberg et al., J. Appl. Phys. 92, 4290 (2002).
23. K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 251, 685 (2003).
24. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov, Appl. Phys. Lett. 84, 4599 (2004).
25. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
26. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 92 (1991).
27. G. Bai, M.-A. Nicolet, C. H. Chern, and K. L. Wang, J. Appl. Phys. 75, 4475 (1994).
28. F. K. Legoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, and P. D. Kirchner, J. Appl. Phys. 71, 4230 (1992).
29. S. M. Hu, J. Appl. Phys. 69, 7901 (1991).
30. R. Hull, J. C. Bean, D. J. Werder, and R. E. Leibenguth, Phys. Rev. B 40, 1681 (1989).
31. V. T. Gillard, W. D. Nix, and L. B. Freund, J. Appl. Phys. 76, 7280 (1994).
32. B. A. Fox and W. A. Jesser, J. Appl. Phys. 68, 2801 (1990).
33. R. Hull, J. C. Bean, and C. Buescher, J. Appl. Phys. 66, 5837 (1989).
34. L. W. Freund, J. Appl. Phys. 68, 2073 (1990).
35. R. Hull, E. A. Stach, R. Tromp, F. Ross, and M. Reuter, Phys. Status Solidi A 171, 133 (1999).
36. G. MacPherson and P. J. Goodhew, Appl. Phys. Lett. 70, 2873 (1997).
37. E. A. Fitzgerald, M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, G. Taraschi, V. Yang, C. W. Leitz, and M. T. Bulsara, Phys. Status Solidi A 171, 227 (1999).
38. R. Beanland, J. Appl. Phys. 72, 4031 (1992).
39. R. Beanland, J. Appl. Phys. 77, 6217 (1995).
40. C. J. Humphreys, D. M. Maher, D. J. Eaglesham, E. P. Kvam, and I. G. Salisbury, J. Phys. III 1, 1119 (1991).
41. V. I. Vdovin, Phys. Status Solidi A 171, 239 (1999).
42. C. G. Tuppen and C. J. Gibbings, J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990).
43. D. E. Jesson, S. J. Pennycook, J.-M. Baribeau, and D. C. Houghton, Phys. Rev. Lett. 71, 1744 (1993).
44. E. A. Stach, R. Hull, J. C. Bean, K. S. Jones, and A. Nejim, Microsc. Microanal. 4, 294 (1998).
45. R. Hull, E. A. Stach, R. Tromp, F. Ross, and M. Reuter, Phys. Status Solidi A 171, 133 (1999).