Relaxed Si0.7Ge0.3 layers grown on low-temperature Si buffers with low threading dislocation density

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 21, 1997, Pages 3132-3134

  Li, J H ^a   Peng, C S ^a   Wu, Y ^a   Dai, D Y ^a   Zhou, J M ^a   Mai, Z H ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001005440     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120268     Document Type: Article

References (14)

1. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu, P. M. Mooney, and B. S. Meyerson, Phys. Rev. Lett. 73, 3447 (1994).
2. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Theil, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. 63, 2263 (1993).
3. F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).
4. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, J. P. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, A. F. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
5. P. M. Mooney, J. L. Jordan-Sweet, K. Ismail, J. O. Chu, R. M. Feenstra, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 67, 2373 (1995).
6. E. A. Fitzgerald et al., J. Vac. Sci. Technol. 15, 1048 (1997).
7. S. Yu, Shiryaev, F. Jensen, and J. W. Peterson, Appl. Phys. Lett. 64, 3305 (1994).
8. M. A. Lutz, R. M. Feenstra, F. K. LeGoues, P. M. Mooney, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 66, 724 (1995).
9. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
10. K. K. Linder, F. C. Zhang, J. S. Rieh, P. Bhattacharya, and D. Houghton, Appl. Phys. Lett. 70, 3224 (1997).
11. J. H. Li, G. Bauer, E. Koppensteiner, M. Hohnisch, H. J. Herzog, and F. Schaffler, Appl. Phys. Lett. 67, 223 (1995).
12. E. Kasper, H. J. Herzog, and H. Kibbel, Appl. Phys. 8, 199 (1975).
13. J. H. Li, V. Holy, F. Schaffler, and G. Bauer, J. Appl. Phys. 82, 6 (1997).
14. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett. 66, 2903 (1991).