Reduction of dislocation density in mismatched SiGe/Si using a low-temperature Si buffer layer

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 24, 1997, Pages 3224-3226

  Linder, K K ^a   Zhang, F C ^a   Rieh, J S ^a   Bhattacharya, P ^a   Houghton, D ^b  

^a University of Michigan   (United States)

^b SiGe Microsystems Inc   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000633865     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119132     Document Type: Article

References (21)

1. A. Pruijmboom, J. W. Slotboom, D. J. Gravesteijn, C. W. Fredriksz, A. A. van Gorkum, R. A. van de Heuvel, J. M. L. van Rooij-Mulder, G. Streutker, and G. F. A. van de Walle, Electron. Device Lett. 12, 357 (1991).
2. K. Ismail, S. F. Nelson, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 63, 660 (1993).
3. K. Ismail, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 64, 3124 (1994).
4. K. Ismail, B. S. Meyerson, and P. J. Wang, Appl. Phys. Lett. 58, 2117 (1991).
5. K. D. Hobart, F. J. Kub, N. A. Papanicoloau, W. Kruppa, and P. E. Thompson, J. Cryst. Growth 157, 2115 (1995).
6. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu, P. M. Mooney, and B. S. Meyerson, Phys. Rev. Lett. 73, 3447 (1994).
7. P. M. Mooney, J. L. Jordan-Sweet, J. O. Chu, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 66, 3642 (1995).
8. M. A. Lutz, R. M. Feenstra, F. K. LeGoues, P. M. Mooney, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 66, 724 (1995).
9. J. H. Li, V. Holy, G. Bauer, J. F. Nützel, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 67, 789 (1995).
10. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett. 66, 2903 (1991).
11. R. Hull, J. C. Bean, R. E. Leibenguth, and D. J. Werder, J. Appl. Phys. 65, 4723 (1989).
12. G. Kissinger, T. Morgenstern, G. Morgenstern, and H. Richter, Appl. Phys. Lett. 66, 2083 (1995).
13. F. K. LeGoues, Phys. Rev. Lett. 72, 876 (1994).
14. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
15. J. M. Fernandez, J. Chen, and H. H. Weider, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 889 (1993).
16. E. Scheid, L. K. Kouassi, R. Henda, J. Samitier, and J. R. Morante, Mater. Sci. Eng. B 17, 185 (1993).
17. E. Kasper, H.-J. Herzog, and H. Kibbel, Appl. Phys. 8, 199 (1975).
18. J. P. Hirthe and J. Lothe, Theory of Dislocations, 2nd ed. (Wiley, New York, 1982).
19. B. S. Myerson, K. J. Uram, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 53, 2555 (1988).
20. T. Vogelsang and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 63, 186 (1993).
21. D. Nayak and S. K. Chun, Appl. Phys. Lett. 64, 2514 (1994).