Dual damascene simulation for ionized physical vapor deposition process: Investigation on incident energy and via geometry effects

Journal of the Physical Society of Japan

Volumn 72, Issue 12, 2003, Pages 3151-3157

  Hwang, Chi Chuan ^a   Chang, Jee Gong ^b   Lu, Jian Ming ^a   Lin, Hong Chang ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTER FOR HIGH PERFORMANCE COMPUTING   (Taiwan)

Author keywords

Dual damascene; Ionized physical vapor deposition; Molecular dynamics

Indexed keywords

ALGORITHM; ARTICLE; DRY DEPOSITION; ENERGY; GEOMETRY; IONIZATION; IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL MODEL; MOLECULAR DYNAMICS; SIMULATION; THERMOREGULATION; VAPOR;

EID: 0842268533     PISSN: 00319015     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JPSJ.72.3151     Document Type: Article

References (28)

1. R. H. Havemann and J. A. Hutchby: Proc. IEEE 89 (2001) 586.
2. A. Furuya, M. Tagami, K. Shiba, K. Kikuta and Y. Hayashi: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 733.
3. E. Bar, J. Lorenz and H. Ryssel: Microelectron. Eng. 50 (2000) 481.
4. C. L. Gan, C. V. Thompson, K. L. Pey, W. K. Choi, H. L. Tay, B. Yu and M. K. Radhakrishnan: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4592.
5. S. M. Rossnagel and J. Hopwood: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3285.
6. S. M. Rossnagel and J. Hopwood: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 449.
7. E. C. Cooney III, D. C. Strippe, J. W. Korejwa, A. H. Simon and C. Uzoh: J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) 1898.
8. C. A. Nichols, S. M. Rossnagel and S. Hamaguchi: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 3270.
9. S. M. Rossnagel: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 125.
10. S. Hamaguchi and S. M. Rossnagel: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 183.
11. M. A. Vyvoda, C. F. Abrams and D. B. Grave: IEEE Trans. Plasma Sci. 5 (1999) 1433.
12. C. C. Hwang, G. J. Hwang, J. G. Chang and S. P. Ju: J. Appl. Phys. 91 (2002) 3569.
13. C. C. Hwang, G. J. Hwang, S. P. Ju and J. G. Chang: Surf. Sci. 512 (2002) 135.
14. C. C. Hwang, J. G. Chang, S. P. Ju and H. C. Lin: submitted to Phys. Rev. E (2002).
15. F. Caignet, S. Bendhia and E. Sicard: Proc. IEEE 89 (2001) 556.
16. E. Sicard and S. Bendhia: EWME 2002, Vigo, Spain, 23-24 May, 2002.
17. G. A. Kimmel and B. H. Cooper: Phys. Rev. B 48 (1993) 12164.
18. D. G. Coronell, D. E. Hansen, A. F. Voter, C. L. Liu, X. Y. Liu and J. D. Kress: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3860.
19. J. D. Kress, D. E. Hanson, A. F. Voter, C. L. Liu, X.-Y. Liu and D. G. Coronell: J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) 2819.
20. D. E. Hanson, A. F. Voter and J. D. Kress: J. Appl. Phys. 82 (1997) 3552.
21. F. Cleri and V. Rosato: Phys. Rev. B 48 (1993) 22.
22. K. H. Müller: Phys. Rev. B 35 (1987) 7690.
23. S. P. Ju, C. I. Weng, J. G. Chang and C. C. Hwang: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 946.
24. M. H. Su, C. C. Hwang, J. G. Chang and S. P. Ju: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1853.
25. M. H. Su, C. C. Hwang, J. G. Chang and S. H. Wang: J. Appl. Phys. 93 (2003) 4566.
26. S. P. Ju, C. I. Weng and C. C. Hwang: J. Appl. Phys. 92 (2002) 7062.
27. M. Proust, F. Judong and J. M. Gilet: Microelectron. Eng. 55 (2001) 269.
28. S. Shingubara, H. Kotani and H. Sakaue: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 2553.