Location control of crystal grains in excimer laser crystallization of silicon thin films

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 3, 2003, Pages 434-436

  Kumomi, Hideya ^a  

^a CANON INC   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLIZATION; EXCIMER LASERS; GRAIN BOUNDARIES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CRYSTALLINITY;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0042627885     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1591998     Document Type: Article

References (30)

1. N. Yamauchi, J.-J. J. Hajjar, and R. Reif, IEEE Trans. Electron Devices 38, 55 (1991).
2. H. Kumomi and F. G. Shi, Handbook of Thin Film Materials, edited by H. S. Nalwa (Academic Press, San Diego, 2001), Vol. 1, Chap. 6, Sec. 4.4.3, p. 362.
3. H. J. Kim and J. S. Im, Appl. Phys. Lett. 68, 1513 (1996).
4. R. S. Sposili and J. S. Im, Appl. Phys. Lett. 69, 2864 (1996).
5. K. Ishikawa, M. Ozawa, C.-H. Oh, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 731 (1998).
6. C.-H. Oh, M. Ozawa, and M. Matsumura, Jpn: J. Appl. Phys. 37, L492 (1998).
7. L. Mariucci, R. Carluccio, A. Pecora, V. Foglietti, G. Fortunato, and D. D. Sala, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L907 (1999).
8. B. Rezek, C. E. Nebel, and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1083 (1999).
9. M. Lee, S. Moon, M. Hatano, K. Suzuki, and C. P. Grigoropoulos, J. Appl. Phys. 88, 4994 (2000).
10. S. Horita, Y. Nakata, and A. Shimoyama, Appl. Phys. Lett. 78, 2250 (2001).
11. W.-C. Yeh and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 3096 (2001).
12. B. Rezek, C. E. Nebel, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 91, 4220 (2002).
13. A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, Y. Sano, and N. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L311 (2002).
14. M. Hatano, T. Shiba, M. Ohkura, SID 02 digest (Society for Information Display, San Jose, 2002), p. 158.
15. A. Hara, K. Yoshino, F. Takeuchi, and N. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 23 (2003).
16. H. J. Song and J. S. Im, Appl. Phys. Lett. 68, 3165 (1996).
17. J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder, Appl. Phys. Lett. 70, 3434 (1997).
18. R. Ishihara and P. C. van der Wilt, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L15 (1998).
19. R. Ishihara and A. Burtsev, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1071 (1998).
20. C.-H. Oh and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 5474 (1998).
21. M. Ozawa, C.-H. Oh, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5700 (1999).
22. R. Ishihara, A. Burtsev, and P. F. A. Alkemade, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 3872 (2000).
23. A. Hara and N. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1 (2000).
24. A. Hara and N. Sasaki, J. Appl. Phys. 88, 3349 (2000).
25. P. Ch. van der Wilt, B. D. van Dijk, G. J. Bertens, R. Ishihara, and C. I. M. Beenakker, Appl. Phys. Lett. 79, 1819 (2001).
26. M. Nakata, K. Inoue, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 3049 (2001).
27. S. Yoshimoto, C.-H. Oh, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 4466 (2001).
28. J. S. Im, H. J. Kim, and M. O. Thompson, Appl. Phys. Lett. 63, 1969 (1993).
29. M. Hatano, S. Moon, M. Lee, K. Suzuki, and C. P. Grigoropoulos, J. Appl. Phys. 87, 36 (2000).
30. J. S. Im and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 64, 2303 (1994).