Effects of thermal annealing on the indium tin oxide Schottky contacts of n-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 25, 1998, Pages 3317-3319

  Sheu, J K ^a   Su, Y K ^a   Chi, G C ^b   Jou, M J ^c   Chang, C M ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^c EPISTAR CORPORATION   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001349285     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121636     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, T. Mokia, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1689 (1994).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyodo, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1996).
4. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuzunia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
5. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mmohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
6. M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kkuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
7. M. A. Khan, J. N. Kkuznia, D. T. Olson, and M. Blasingame, Appl. Phys. Lett. 63, 2455 (1993).
8. J. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, and B. Van Zeghbroeck, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 94, 389 (1994).
9. M. E. Lin, Z. Ma, Y. F. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
10. Z. F. Fan, S. N. Mmohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
11. J. D. Guo, C. I. Lin, M. S. Feng, F. M. Pan, G. C. Chi, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 235 (1996).
12. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. A. Khan, and I. Adeaida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).
13. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Lowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 32, 909 (1994).
14. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 67, 2657 (1996).
15. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chuo, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
16. W. Gao, A. Khan, P. R. Berger, R. G. Hunsperger, G. Zydzik, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 65, 1930 (1994).
17. J. W. Seo, C. Caneau, and I. Adesida, IEEE Photonics Technol. Lett. 5, 1313 (1993).
18. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
19. S. K. Cheung and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 49, 85 (1986).
20. H. Norde, J. Appl. Phys. 50, 5052 (1979).
21. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 63, 2859 (1993).
22. M. Libra and L. Bardos, Vacuum 38, 455 (1988).