Thermally stable rhenium Schottky contacts to n-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 9, 1998, Pages 1242-1244

  Venugopalan, H S ^a   Mohney, S E ^a  

^a PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000820280     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122140     Document Type: Article

References (24)

1. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
2. M. S. Shur and M. A. Khan, MRS Bull. 22, 44 (1997).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. L. Wang, M. I. Nathan, T. H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
5. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Electron. Lett. 32, 1832 (1996).
6. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
7. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z. F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 80, 4467 (1996).
8. E. V. Kalinina, N. I. Kuznetsov, V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, and C. H. Carter, J. Electron. Mater. 25, 831 (1996).
9. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
10. S. E. Mohney and X. Lin, J. Electron. Mater. 25, 811 (1996).
11. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, S. D. Wolter, and J. M. Redwing, J. Appl. Phys. 82, 650 (1997).
12. K. J. Duxstad, E. E. Haller, and K. M. Yu, J. Appl. Phys. 81, 3134 (1996).
13. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. D. Wolter, J. M. Redwing, and G. E. Bulman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 497, 431 (1997).
14. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, and R. J. Molnar (unpublished result).
15. S. M. Gasser, M. A. Nicolet, E. Kolawa, and R. Ruiz, Fourth International High Temperature Electronics Conference, IEEE, Piscataway, 1998.
16. V. S. Fomenko and G. V. Samsonov, Handbook of Thermionic Properties (Plenum, New York, 1966).
17. Q. Chen, J. W. Wang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 70, 2277 (1997).
18. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal Semiconductor Contacts (Oxford Science, Oxford, 1988).
19. J. H. Werner, Appl. Phys. A: Solids Surf. 47, 291 (1988).
20. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
21. M. T. Hirsch, K. J. Duxstad, and E. E. Haller, Electron. Lett. 33, 95 (1997).
22. J. Y. Duboz, F. Binet, N. Laurent, E. Rosencher, F. Scholz, V. Harle, O. Briot, B. Gil, and R. L. Aulombard, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1085 (1996).
23. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
24. J. H. Werner and H. H. Guttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991).