Dry Etching of GaN/InGaN Multiquantum Wells Using Inductively Coupled Cl2/CH4/H2/Ar Plasma

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 5, 2001, Pages

  Lee, Ji Myon ^a   Kim, Sang Woo ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038595478     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1360191     Document Type: Article

References (26)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett., 72, 211 (1998).
2. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett., 63, 2777 (1993).
3. G. F. McLane, L. Casas, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 66, 3328 (1995).
4. I. Adesida, A. T. Ping, C. Youtsey, T. Dow, M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett., 65, 889 (1994).
5. A. T. Ping, I. Adesida, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett., 67, 1250 (1995).
6. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. H. Crawford, J. E. Parmeter, C. B. Vartuli, C. K. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 66, 1761 (1995).
7. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. Hong, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett., 69, 1426 (1996).
8. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997).
9. J. M. Lee, K. M. Chang, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc., 147, 1859 (2000).
10. S. J. Pearton and K. J. Shul, in Gallium Nitride I. J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Editors, Chap. 5, Academic Press, New York (1997).
11. G. A. Vawter, L. A. Coldren, J. L. Merz, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 51, 719 (1987).
12. F. Binet, J. Y. Duboz, N. Laurent, C. Bonnat, P. Collot, F. Hanauer, O. Briot, and R. L. Aulombard, Appl. Phys. Lett., 72, 960 (1981).
13. D. J. Kim, Y. T. Moon, K. S. Ahn, and S. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 140 (2000).
14. D. J. Kim, Y. T. Moon, K. M. Song, C. J. Choi, Y. W. Ok, T. Y. Scong, and S. J. Park, J. Cryst. Growth, 221, 368 (2000).
15. H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1631 (1998).
16. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, and C. R. Abernathy, J. Electrochem. Soc., 144, 2844 (1997).
17. P. Collot, T. Diallo, and J. Canteloup, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2497 (1991).
18. M. Leroux and B. Gil, in Properties, Processing, and Applications of GaN and Related Materials, EMIS No. 23, J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and C. Wetzel. Editors, p. 48, IEE, London (1999).
19. K. J. Clay, S. P. Speakman, G. A. J. Amaratunga, and S. R. P. Silva, J. Appl. Phys., 79, 7227 (1996).
20. G. Franz, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1542 (1998).
21. Y. Feurprier, Ch. Cardinaud, B. Grolleau, and G. Turban, J. Vac. Technol. A, 16, 1552 (1998).
22. Y. H. Lee, H. S. Kim, G. Y. Yeom, J. W. Lee, M. C. Yoo, and T. I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1478 (1998).
23. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Electron. Mater., 26, 266 (1997).
24. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Appl. Phys., 87, 7667 (2000).
25. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 232 (1999).
26. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999).