Growth and characterization of 4H-SiC in vertical hot-wall chemical vapor deposition

Journal of Crystal Growth

Volumn 255, Issue 1-2, 2003, Pages 136-144

  Fujihira, K ^a,b   Kimoto, T ^a   Matsunami, H ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

^b MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CORRELATION METHODS; DECOMPOSITION; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; HEATING; MORPHOLOGY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR GROWTH; VAPOR PHASE EPITAXY;

EPILAYERS;

SILICON CARBIDE;

EID: 0037732734     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01245-4     Document Type: Article

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