Direct measurement of the etching rates on Si (111) and silicon dioxide surfaces in 40% ammonium fluoride aqueous solution via atomic force microscopy

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 7, 2003, Pages 4315-4320

  Ouyang, Jian Hua ^a   Zhao, Xin Sheng ^a   Li, Ting ^b   Zhang, Da Cheng ^b  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; AMMONIUM COMPOUNDS; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; PHOTOLITHOGRAPHY; SILICA; SOLUTIONS; SURFACE PHENOMENA;

MICROPATTERNS;

ETCHING;

EID: 0037391063     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1559001     Document Type: Article

References (38)

1. S. P. Murarka, Mater. Sci. Eng., R. 19, 87 (1997).
2. W. Lang, Mater. Sci. Eng., R. 17, 1 (1996).
3. J. C. McDonald, D. C. Duffy, J. R. Anderson, D. T. Chiu, H. K. Wu, O. J. A. Schneller, and G. M. Whitesides, Electrophoresis 21, 27 (2000).
4. K. Kaji, S. L. Yau, and K. Itaya, J. Appl. Phys. 78, 5727 (1995).
5. A. A. Bukharaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Mozhanova, and D. V. Ovchinnikov, Russ. Microelectron. 28, 330 (1999).
6. V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
7. P. Jakob and Y. J. Chabal, J. Chem. Phys. 95, 2897 (1991).
8. K. Nakamura, and A. Kurokawa, and S. Ichimura, Thin Solid Films 344, 361 (1999).
9. S. Adachi, T. Arai, and K. Kobayashi, J. Appl. Phys. 80, 5422 (1996).
10. T. Suzuki and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5599 (1994).
11. H. Fukidome and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 132, 146 (1998).
12. M. Matsumura and H. Fukidome, J. Electrochem. Soc. 143, 2683 (1996).
13. T. Hoshino and Y. Nishioka, J. Chem. Phys. 111, 2109 (1999).
14. G. W. Trucks, K Raghavachari, G. C. Higashi, and Y. J. Chabal, Phys. Rev. Lett. 23, 504 (1990).
15. S. L. Yau, K. Kaji, and K. Itaya, Appl. Phys. Lett. 66, 766 (1995).
16. H. Fukidome, M. Matsumura, T. Komeda, K. Namba, and Y. Nishioka, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 393 (1999).
17. Y. Kunii, S. Nakayama, and M. Maeda, J. Electrochem. Soc. 142, 3510 (1995).
18. K. Osseo-Asare, J. Electrochem. Soc. 143, 1339 (1996).
19. D. M. Knotter, J. Am. Chem. Soc. 122, 4345 (2000).
20. H. Kikuyama, M. Waki, I. Kawanabe, M. Miyashita, T. Yabune, N. Miki, J. Takano, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 139, 2239 (1992).
21. A. J. Nijdam, J. van Suchtelen, J. W. Berenschot, J. G. E. Gardeniers, and M. Elwenspoek, J. Cryst. Growth 198/199, 430 (1999).
22. P. H. Chen, H. Y. Peng, C. M. Hsieh, and M. K. Chyu, Sens. Actuators A 93, 132 (2001).
23. I. Zubel, I. Barycka, K. Kotowska, and M. Kramkowska, Sens. Actuators A 87, 163 (2001).
24. L. C. Chen, M. Chen, T. H. Tsaur, C. Lien, and C. C. Wan, Sens. Actuators A 49, 115 (1995).
25. K. Sato, M. Shikida, Y. Yamashiro, M. Tsunekawa, and S. Ito, Sens. Actuators A 73, 122 (1999).
26. J. S. Judge, J. Electrochem. Soc. 118, 1772 (1971).
27. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
28. S. P. Garcia, H. L. Bao, M. Manimaran, and M. A. Hines, J. Phys. Chem. B 106, 8258 (2002).
29. M. L. Munford, R. Cortes, and P. Allongue, Sens. Mater. 13, 259 (2001).
30. C. P. Wade and C. E. D. Chidsey, Appl. Phys. Lett. 71, 1679 (1997).
31. S. Watanable, and Y. Sugita, Surf. Sci. 327, 1 (1995).
32. H. Fukidome and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1085 (1999).
33. H. Fukidome and M. Matsumura, Surf. Sci. 463, L649 (2000).
34. R. G. Wu, J. H. Ouyang, X. S. Zhao, X. H. Huang, H. Z. Huang, and N. Z. Wu, Acta Phys.-Chim. Sin. 17, 931 (2001).
35. R. A. B. Devine, Appl. Phys. Lett. 68, 3108 (1996).
36. K. Ishikawa, H. Ogawa, and S. Fujimura, J. Appl. Phys. 85, 4076 (1999).
37. K. T. Queeney, M. K. Weldon, J. P. Chang, Y. J. Chabal, A. B. Gurevich, J. Sapjeta, and R. L. Opila, J. Appl. Phys. 87, 1322 (2000).
38. K. T. Queeney, H. Fukidome, E. E. Chaban, and Y. J. Chabal, J. Phys. Chem. B 105, 3903 (2001).