Silicon oxide contact hole etching employing an environmentally benign process

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 20, Issue 6, 2002, Pages 2192-2198

  Fujita, Kazushi ^a   Hori, Masaru ^a   Goto, Toshio ^a   Ito, Masafumi ^b  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

^b WAKAYAMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON DIOXIDE LASERS; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; EMISSION SPECTROSCOPY; GLOBAL WARMING; SILICA; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ACTINOMETRIC OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY; INFRARED DIODE LASER ABSORPTION SPECTROSCOPY; PLASMA CHEMISTRY; SILICON OXIDE CONTACT HOLE ETCHING; SOLID MATERIAL EVAPORATION;

DRY ETCHING;

EID: 0036883084     PISSN: 0734211X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1513632     Document Type: Article

References (37)

1. O. Joubert, G. S. Oehrlein, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 658 (1994).
2. O. Joubert, G. S. Oehrlein, and M. Surendra, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 665 (1994).
3. S. Arai, K. Tsujimoto, and S. Tachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2011 (1992).
4. R. d'Agostino, P. Capezzuto, G. Bruno, and F. Cramarossa, Pure Appl. Chem. 57, 1287 (1985).
5. Y. S. Kim, P. T. C. Wei, G. R. Tynan, R. Charatan, and D. Hemker, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 327 (1998).
6. K. Takahashi, M. Hori, S. Kishimoto, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 4181 (1994).
7. L. M. Ephrath, J. Electrochem. Soc. 126, 1419 (1979).
8. K. Fujita, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 957 (1999).
9. K. Fujita, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3260 (1999).
10. K. Fujita, S. Kobayashi, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, Mater. Sci. Semicond. Process. 2, 219 (1999).
11. K. Fujita, S. Kobayashi, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 832 (2001).
12. K. Fujita, S. Kobayashi, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Technol. (submitted).
13. M. Magane, N. Itabashi, N. Nishiwaki, T. Goto, C. Yamada, and E. Hirota, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L829 (1990).
14. K. Maruyama, K. Ohkouchi, Y. Ohtsu, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 4298 (1994).
15. K. Takahashi, M. Hori, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 4745 (1994).
16. K. Miyata, K. Takahashi, S. Kishimoto, M. Hori, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L444 (1995).
17. K. Miyata, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2343 (1996).
18. K. Kawaguchi, C. Yamada, Y. Hamada, and E. Hirota, J. Mol. Spectrosc. 102, 193 (1983).
19. P. B. Davies, W. Lewis-Bevan, and D. K. Russell, J. Chem. Phys. 75, 5602 (1981).
20. C. Yamada and E. Hirota, J. Chem. Phys. 78, 1703 (1983).
21. M. Harverlag, E. Stoffels, W. W. Stoffels, G. M. W. Kroesen, and F. J. de Hoog, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 380 (1996).
22. T. Tatsumi, M. Matsui, M. Okigawa, and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1897 (2000).
23. T. M. Mayer, R. A. Barker, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. 18, 349 (1981).
24. R. d'Agostino, F. Cramarossa, V. Colaprico, and R. d'Ettole, J. Appl. Phys. 54, 1284 (1983).
25. S. Samukawa and S. Furuoya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L1289 (1993).
26. J. A. O'Neill and J. Singh, J. Appl. Phys. 77, 497 (1995).
27. T. Goto and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 6521 (1996).
28. J. P. Booth, G. Cunge, P. Chabert, and N. Sadeghi, J. Appl. Phys. 85, 3097 (1999).
29. K. Miyata, M. Hori, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5340 (1997).
30. K. Takahashi, M. Hori, M. Inayoshi, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 3635 (1996).
31. M. Inayoshi, M. Ito, M. Hori, T. Goto, and M. Hiramatsu, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 233 (1998).
32. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 323 (1994).
33. K. Fujita, M. Ito, M. Hori, and T. Goto, J. Appl. Phys. (submitted).
34. K. Teii, M. Hori, T. Goto, and N. Ishii, J. Appl. Phys. 87, 7185 (2000).
35. K. Teii, M. Hori, T. Goto, and N. Ishii, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1 (2000).
36. A. Fiala, M. Kiehlbauch, S. Mahnovski, and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 86, 152 (1999).
37. E. J. Tonnis, D. B. Graves, V. H. Vartanian, L. Beu, T. Lii, and R. Jewett, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 393 (2000).