Surface potential measurements on GaN and AlGaN/GaN heterostructures by scanning Kelvin probe microscopy

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 1, 2001, Pages 337-344

  Koley, G ^a   Spencer, M G ^a  

^a Department of Materials Science and Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035397378     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1371941     Document Type: Article

References (29)

1. R. Gaska, M. S. Shur, T. A. Fjeldly, and A. D. Bykhovksi, J. Appl. Phys. 85, 3009 (1999).
2. S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
3. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
4. Y. Zhang, I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, S. Keller, J. P. Ibbetson, S. Denbaars, U. K. Mishra, and J. Singh, J. Appl. Phys. 87, 7981 (2000).
5. B. K. Ridley, Appl. Phys. Lett. 77, 990 (2000).
6. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
7. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
8. K. Shiojima, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 1936 (1999).
9. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 87, 801 (2000).
10. E. T. Yu, X. Z. Dang, L. S. Yu, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, G. J. Sullivan, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998).
11. P. M. Bridger, Z. Z. Bandić, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 74, 3522 (1999).
12. J. W. Hong, K. H. Noh, S.-il Park, S. I. Kwun, and Z. G. Khim, Phys. Rev. B 58, 5078 (1998).
13. M. Tanimoto and O. Vatel, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1547 (1996).
14. A. Kikukawa, S. Hosaka, and R. Imura, Appl. Phys. Lett. 66, 3510 (1995).
15. F. Robin, H. Jacobs, O. Homan, A. Stemmer, and W. Bächtold, Appl. Phys. Lett. 76, 2907 (2000).
16. C. I. Wu, A. Kahn, N. Taskar, D. Dorman, and D. Gallagher, J. Appl. Phys. 83, 4249 (1998).
17. M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 64, 3288 (1994).
18. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996).
19. C. I. Wu, A. Kahn, E. S. Hellman, and D. N. E. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 73, 1346 (1998).
20. S. P. Grabowski, M. Schneider, H. Nienhaus, W. Mönch, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 78, 2503 (2001).
21. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
22. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Wiemann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
23. A. N. Bright, P. J. Thomas, M. Weyland, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Appl. Phys. 89, 3143 (2001).
24. R. M. Nyffenegger, R. M. Penner, and R. Schierle, Appl. Phys. Lett. 71, 1878 (1997).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 275.
26. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 86, 1170 (1999).
27. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
28. M. J. Murphy et al., Appl. Phys. Lett. 75, 3653 (1999).
29. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).