Electron affinity at aluminum nitride surfaces

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 10, 1998, Pages 1346-1348

  Wu, C I ^a   Kahn, A ^a   Hellman, E S ^b   Buchanan, D N E ^b  

^a Princeton University   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000298097     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122158     Document Type: Article

References (17)

1. R. L. Bell, Negative Electron Affinity Devices (Clarendon, Oxford, 1973).
2. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. Van Vechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B 20, 624 (1979).
3. L. W. James and J. L. Möll, Phys. Rev. 183, 740 (1969).
4. J. van der Weide and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1940 (1992);
5. J. van der Weide, Z. Zhang, P. K. Baumann, M. G. Wensell, J. Bernholc, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 50, 5803 (1994).
6. M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 64, 13 (1994).
7. M. C. Benjamin, M. D. Bremser, T. W. Weeks, Jr., S. W. King, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Surf. Sci. 104, 455 (1996).
8. J. J. Yeh and I. Lindau, At. Data Nucl. Data Tables 32, 6 (1985).
9. C. I. Wu, Y. Hirose, H. Sirringhaus, and A. Kahn, Chem. Phys. Lett. 272, 43 (1997).
10. C. I. Wu and A. Kahn (to be published).
11. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
12. G. Martin, S. Strite, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoç, W. R. Lambretcht, and B. Segall, Appl. Phys. Lett. 65, 610 (1994).
13. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
14. A. Barrie, Chem. Phys. Lett. 19, 109 (1973).
15. R. Z. Bachrach, S. A. Flodström, R. S. Bauer, S. B. M. Haström, and D. J. Chadi, J. Vac. Sci. Technol. 15, 488 (1978).
16. W. M. Yim, E. J. Stofko, P. J. Zanzucchi, J. I. Pankove, M. Ettenberg, and S. L. Gilbert, J. Appl. Phys. 44, 292 (1973).
17. Y. N. Xu and W. Y. Ching, Phys. Rev. B 48, 4335 (1993).