High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by gas-source molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1275-1277

  Li, L K ^a   Alperin, J ^a   Wang, W I ^a   Look, D C ^b   Reynolds, D C ^b  

^a Columbia University ^*  (United States)

^b WRIGHT STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000118790     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590087     Document Type: Article

References (13)

1. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 42, 430 (1983).
2. K. Ito, K. Hiramatsu, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 104, 533 (1990).
3. S. Yoshida, S. Gonda, and S. Misawa, J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982).
4. M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
5. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujia, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
6. M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Wang, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
7. O. Aktas, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, B. Sverdlov, and H. Morkoc, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
8. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995).
9. L. K. Li, Z. Yang, and W. I. Wang, Electron. Lett. 31, 2127 (1995).
10. W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 44, 1149 (1984).
11. W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 574 (1983).
12. X. Li, K. F. Longenbach, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 60, 1513 (1992).
13. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 81, 6332 (1997).