Observation of crystallographic wing tilt in cantilever epitaxy of GaN on silicon carbide and silicon (111) substrates

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 18, 2001, Pages 2907-2909

  Katona, T M ^a   Craven, M D ^a   Fini, P T ^a   Speck, J S ^a   DenBaars, S P ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001660207     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1415039     Document Type: Article

References (20)

1. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
2. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
3. H. Marchard, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
4. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
5. H. Marchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
6. P. Fini, H. Marchand, J. P. Ibbetson, B. Moran, L. Zhao, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Wide-Bandgap Semiconductors for High-Power, High-Frequency and High-Temperature Applications, San Franscico, 1999 (Materials Research Society, Warrendale, PA. 1999).
7. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, E. Carlson, W. M. Ashmawi, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.39 (1999).
8. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
10. M. Hansen, P. Fini, L. Zhao, A. V. Abare, L. A. Coldren, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 76, 529 (2000).
11. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
12. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand. P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. J. Tarsa, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
13. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 75, 1706 (1999).
14. P. Fini, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 209, 581 (2000).
15. P. Fini, A. Munkholm, C. Thompson, G. B. Stephenson, J. A. Eastman, M. V. Ramana Murty, O. Auciello, L. Zhao, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 76, 3893 (2000).
16. S. Tomiya, K. Funato, T. Asatsuma, T. Hino, S. Kijima, T. Asano, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 77, 636 (2000).
17. C. I. H. Ashby, C. C. Willan, J. Han, N. A. Missen, P. P. Provencio, D. M. Follstaedt, G. M. Peake, and L. Griego, Appl. Phys. Lett. 77, 3233 (2000).
18. T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L16 (2001).
19. A. Strittmatter, S. Rodt, L. Reibmann, D. Bimberg, H. Schroder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 78, 727 (2001).
20. F. A. Khan and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 75, 2268 (1999).