High electron mobility AIGaN/GaN heterostructure on (111) Si

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 6, 2000, Pages 736-738

  Schremer, A T ^a   Smart, J A ^a   Wang, Y ^a   Ambacher, O ^a   MacDonald, N C ^a   Shealy, J R ^a  

^a School of Operations Research and Industrial Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000858854     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125878     Document Type: Article

References (16)

1. E. S. Hellman, D. N. E. Buchanan, and C. H. Chen, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 43 (1998).
2. S. I. Molina, A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, R. Garcia, M. A. Sanchez-Garcia, F. J. Sanchez, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 74, 3362 (1999).
3. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
4. A. Strittmatter, A. Krost, M. Strassburg, V. Turck, D. Bimberg, J. Blasing, and J. Christen, Appl. Phys. Lett. 74, 1242 (1999).
5. D. M. Follstaedt, J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4SI, G3 (1999).
6. P. Kung, D. Walker, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 570 (1999).
7. H. Marchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, Paul T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, Steven DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
8. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, X. Zhang, P. D. Dapkus, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 74, 2836 (1999).
9. E. M. Chumbes, A. T. Schremer, J. A. Smart, D. Hogue, J. Komiak, and J. R. Shealy, IEEE Proceedings of International Electron Devices Meeting, Washington D. C., December 1999.
10. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, F. B. Naranjo, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, and S. I. Molina, J. Cryst. Growth 201/202, 415 (1999).
11. J. Cao, D. Pavlidis, Y. Park, J. Singh, and A. Eisenbach, J. Appl. Phys. 83, 3829 (1998).
12. J. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
13. J. Smart, E. Chumbes, L. Srivatsa, Y. Lo, and J. Shealy, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 512, 59 (1998).
14. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzman, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
15. S. Kaiser, M. Jakob, J. Zweck, W. Wegscheider, W. Gebhardt, O. Ambacher, R. Dimitrov, J. A. Smart, A. T. Schremer, and J. R. Shealy, Vac. Sci. Technol. B (to be published).
16. F. Semond, B. Damilano, S. Vezian, N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999).