High electron mobility AlGan/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 6, 2000, Pages 742-744

  Li, L K ^a   Turk, B ^a   Wang, W I ^a   Syed, S ^a   Simonian, D ^a   Stormer, H L ^a  

^a Department of Earth and Environmental Sciences   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001336203     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125880     Document Type: Article

References (18)

1. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
2. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
3. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Sneider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
4. L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C. Reynolds, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1275 (1998).
5. J. B. Webb, H. Tang, S. Rolfe, and J. A. Bardwell, Appl. Phys. Lett. 75, 953 (1999).
6. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
7. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
8. C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
9. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
10. T. Wang, Y. Ohno, M. Lachab, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 74, 3531 (1999).
11. W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 44, 1149 (1984).
12. J. S. Harris, S. M. Koch, and S. J. Rosner, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 91, 3 (1987).
13. H. Kroemer, J. Cryst. Growth 81, 193 (1987).
14. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L316 (1998).
15. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 85, 587 (1999).
16. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 81, 6332 (1997).
17. D. C. Reynolds and D. C. Look, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
18. K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and W. Yang, Appl. Phys. Lett. 74, 3821 (1999).