Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-induced molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition on sapphire

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 7, 2000, Pages 3375-3380

  Dimitrov, R ^a   Murphy, M ^a   Smart, J ^a   Schaff, W ^a   Shealy, J R ^a   Eastman, L F ^a   Ambacher, O ^b   Stutzmann, M ^b  

^a Cornell University   (United States)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000370866     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372353     Document Type: Article

References (24)

1. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
2. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morcoç, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
3. C. Nguyen, N. X. Nguyen, M. Le, and D. E. Grider, Electron. Lett. 34, 309 (1998).
4. U. K. Mishra, Y.-F. Wu, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, IRE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
5. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
6. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. A. Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
7. T. Wang, Y. Ohno, M. Lachab, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 74, 3531 (1999).
8. I. P. Smorchkova et al., J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
9. AlGaN/GaN HFET Device Results: http://www.iiiv.cornell.edu/www/ foutz/ganhfet.html
10. C.-H. Chen et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3147 (1998).
11. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
12. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
13. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
14. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
15. M. Murphy et al., J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1252 (1999).
16. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
17. R. Dimitrov, L. Wittmer, H. P. Felsl, A. Mitchell, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 168, R7 (1998).
18. R. Dimitrov, A. Mitchell, L. Wittmer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hilsenbeck, and W. Rieger, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4962 (1999).
19. T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 74, 1695 (1999).
20. R. G. Mani and J. R. Anderson, Phys. Rev. B 37, 4299 (1988).
21. L. W. Wong, S. J. Cai, R. Li, K. Wang, H. W. Jiang, and M. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 1391 (1998).
22. S. Elhamri, R. S. Newrock, D. B. Mast, M. Abhoujja, W. C. Mitchel, J. M. Redwing, M. A. Tischler, and J. S. Flynn, Phys. Rev. B 57, 1374 (1998).
23. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
24. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).