Properties of Schottky Barrier Diodes on (InxGa1-x)2O3 for 0.01 ≤ x ≤ 0.85 Determined by a Combinatorial Approach

ACS Combinatorial Science

Volumn 17, Issue 12, 2015, Pages 710-715

  Von Wenckstern, H ^a   Splith, D ^a   Werner, A ^a   Muller S ^a   Lorenz, M ^a   Grundmann, M ^a  

^a UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

continuous composition spread; group III sesquioxide; phase separation; pulsed laser deposition; Schottky diode; segmented target; solid solution

Indexed keywords

GALLIUM; INDIUM; OXYGEN;

CHEMISTRY; COMBINATORIAL CHEMISTRY; TEMPERATURE;

COMBINATORIAL CHEMISTRY TECHNIQUES; GALLIUM; INDIUM; OXYGEN; TEMPERATURE;

EID: 84949751961     PISSN: 21568952     EISSN: 21568944     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/acscombsci.5b00084     Document Type: Article

References (36)

1. Iwasaki, T.; Itagaki, N.; Den, T.; Kumomi, H.; Nomura, K.; Kamiya, T.; Hosono, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 242114 10.1063/1.2749177
2. Barquinha, P.; Pereira, L.; Goncalves, G.; Martins, R.; Fortunato, E. J. Electrochem. Soc. 2009, 156, H161 10.1149/1.3049819
3. Lee, J. J.; Kim, J. S.; Yoon, S. J.; Cho, Y. S.; Choi, J. W. J. Nanosci. Nanotechnol. 2013, 13, 3317-3320 10.1166/jnn.2013.7274
4. Fukumura, T.; Ohtani, M.; Kawasaki, M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3426 10.1063/1.1326847
5. Christen, H. M.; Silliman, S. D.; Harshavardhan, K. S. Rev. Sci. Instrum. 2001, 72, 2673-2678 10.1063/1.1374597
6. Rühle, S.; Anderson, A. Y.; Barad, H.-N.; Kupfer, B.; Bouhadana, Y.; Rosh-Hodesh, E.; Zaban, A. J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 3755-3764 10.1021/jz3017039
7. von Wenckstern, H.; Zhang, Z.; Schmidt, F.; Lenzner, J.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. CrystEngComm 2013, 15, 10020-10027 10.1039/c3ce41327f
8. Oshima, T.; Fujita, S. Phys. Status Solidi C 2008, 5, 3113-3115 10.1002/pssc.200779297
9. Kranert, C.; Lenzner, J.; Jenderka, M.; Lorenz, M.; von Wenckstern, H.; Schmidt-Grund, R.; Grundmann, M. J. Appl. Phys. 2014, 116, 013505 10.1063/1.4886895
10. Schmidt-Grund, R.; Kranert, C.; Böntgen, T.; von Wenckstern, H.; Krauß, H.; Grundmann, M. J. Appl. Phys. 2014, 116, 053510 10.1063/1.4891521
11. Osinsky, A.; Gangopadhyay, S.; Lim, B. W.; Anwar, M. Z.; Khan, M. A.; Kuksenkov, D. V.; Temkin, H. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 742-744 10.1063/1.120862
12. Parish, G.; Keller, S.; Kozodoy, P.; Ibbetson, J. P.; Marchand, H.; Fini, P. T.; Fleischer, S. B.; DenBaars, S. P.; Mishra, U. K.; Tarsa, E. J. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 247-249 10.1063/1.124337
13. Sandvik, P.; Mi, K.; Shahedipour, F.; McClintock, R.; Yasan, A.; Kung, P.; Razeghi, M. J. Cryst. Growth 2001, 231, 366-370 10.1016/S0022-0248(01)01467-1
14. Ju, Z. G.; Shan, C. X.; Jiang, D. Y.; Zhang, J. Y.; Yao, B.; Zhao, D. X.; Shen, D. Z.; Fan, X. W. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 173505 10.1063/1.3002371
15. Hou, Y. N.; Mei, Z. X.; Liu, Z. L.; Zhang, T. C.; Du, X. L. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 103506 10.1063/1.3563705
16. Foulon, F.; Bergonzo, P.; Borel, C.; Marshall, R. D.; Jany, C.; Besombes, L.; Brambilla, A.; Riedel, D.; Museur, L.; Castex, M. C.; Gicquel, A. J. Appl. Phys. 1998, 84, 5331-5336 10.1063/1.368782
17. Koide, Y.; Liao, M.; Alvarez, J. Diamond Relat. Mater. 2006, 15, 1962-1966 10.1016/j.diamond.2006.08.009
18. Alvarez, J.; Liao, M. Y.; Koide, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 113507 10.1063/1.2048807
19. Oshima, T.; Okuno, T.; Arai, N.; Suzuki, N.; Ohira, S.; Fujita, S. Appl. Phys. Express 2008, 1, 011202 10.1143/APEX.1.011202
20. Oshima, T.; Okuno, T.; Arai, N.; Suzuki, N.; Hino, H.; Fujita, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 011605 10.1143/JJAP.48.011605
21. Nakagomi, S.; Momo, T.; Takahashi, S.; Kokubun, Y. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 072105 10.1063/1.4818620
22. von Wenckstern, H.; Splith, D.; Purfürst, M.; Zhang, Z.; Kranert, C.; Müller, S.; Lorenz, M.; Grundmann, M. Semicond. Sci. Technol. 2015, 30, 024005 10.1088/0268-1242/30/2/024005
23. Irmscher, K.; Galazka, Z.; Pietsch, M.; Uecker, R.; Fornari, R. J. Appl. Phys. 2011, 110, 063720 10.1063/1.3642962
24. Mohamed, M.; Irmscher, K.; Janowitz, C.; Galazka, Z.; Manzke, R.; Fornari, R. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 132106 10.1063/1.4755770
25. Sasaki, K.; Higashiwaki, M.; Kuramata, A.; Masui, T.; Yamakoshi, S. J. Cryst. Growth 2013, 378, 591-595 10.1016/j.jcrysgro.2013.02.015
26. Splith, D.; Müller, S.; Schmidt, F.; von Wenckstern, H.; van Rensburg, J. J.; Meyer, W. E.; Grundmann, M. Phys. Status Solidi A 2014, 211, 40-47 10.1002/pssa.201330088
27. Lorenz, M.; Hochmuth, H.; Natusch, D.; Borner, H.; Lippold, G.; Kreher, K.; Schmitz, W. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 3332-3334 10.1063/1.116048
28. Müller, S.; von Wenckstern, H.; Splith, D.; Schmidt, F.; Grundmann, M. Phys. Status Solidi A 2014, 211, 34-39 10.1002/pssa.201330025
29. Zhang, Z.; von Wenckstern, H.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 171111 10.1063/1.4826596
30. Zhang, Z.; von Wenckstern, H.; Grundmann, M. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2014, 20, 106-111 10.1109/JSTQE.2014.2319457
31. Mavlonov, A.; Richter, S.; Von Wenckstern, H.; Schmidt-Grund, R.; Lenzner, J.; Lorenz, M.; Grundmann, M. Phys. Status Solidi A 2015, n/a-n/a 10.1002/pssa.201431932
32. Schewski, R.; Wagner, G.; Baldini, M.; Gogova, D.; Galazka, Z.; Schulz, T.; Remmele, T.; Markurt, T.; Von Wenckstern, H.; Grundmann, M.; Bierwagen, O.; Vogt, P.; Albrecht, M. Appl. Phys. Express 2015, 8, 011101 10.7567/APEX.8.011101
33. Lajn, A.; Wenckstern, H. v.; Zhang, Z.; Czekalla, C.; Biehne, G.; Lenzner, J.; Hochmuth, H.; Lorenz, M.; Grundmann, M.; Wickert, S.; Vogt, C.; Denecke, R. J. Vac. Sci. Technol. B 2009, 27, 1769-1773 10.1116/1.3086718
34. Grundmann, M.; Schein, F. L.; Karsthof, R.; Schlupp, P.; von Wenckstern, H. Adv. Sci. Technol. 2014, 93, 252-259 10.4028/www.scientific.net/AST.93.252
35. Varley, J. B.; Weber, J. R.; Janotti, A.; Van de Walle, C. G. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 142106 10.1063/1.3499306
36. von Wenckstern, H.; Splith, D.; Schmidt, F.; Grundmann, M.; Bierwagen, O.; Speck, J. S. APL Mater. 2014, 2, 046104 10.1063/1.4870536