Room Temperature Oxide Deposition Approach to Fully Transparent, All-Oxide Thin-Film Transistors

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 40, 2015, Pages 6090-6095

  Rembert, Thomas ^a,b   Battaglia, Corsin ^a,b   Anders, André ^b   Javey, Ali ^a,b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

flexible electronics; metal oxides; thin film transistors; transparent electronics

Indexed keywords

DEPOSITION; FLEXIBLE ELECTRONICS; OXIDE FILMS; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; TEMPERATURE; THIN FILMS;

CATHODIC ARC DEPOSITION; LOW-TEMPERATURE FABRICATION; METAL OXIDES; OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS; PRACTICAL MATERIALS; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); TRANSPARENT DEVICES; TRANSPARENT ELECTRONICS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84945486868     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201502159     Document Type: Article

References (39)

1. G. Thomas, Nature 1997, 389, 907.
2. J. F. Wager, Science 2003, 300, 1245.
3. J. A. Rogers, Z. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone, V. R. Raju, V. Kuck, H. Katz, K. Amundson, J. Ewing, P. Drzaic, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2001, 98, 4835.
4. P. G. le Comber, W. E. Spear, A. Ghaith, Electron. Lett. 1979, 15, 179.
5. T. P. Brody, IEEE Trans. Electron Devices 1984, 31, 1614.
6. C. S. Yang, L. L. Smith, C. B. Arthur, G. N. Parsons, J. Vac. Sci. Technol. B. 2000, 18, 683.
7. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
8. H. Klauk, D. J. Gundlach, J. Nichols, T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices 1999, 46, 1258.
9. Q. Cao, H. Kim, N. Pimparkar, J. P. Kulkarni, C. Wang, M. Shim, K. Roy, M. A. Alam, J. A. Rogers, Nature 2008, 454, 495.
10. C. Wang, J. C. Chien, K. Takei, T. Takahashi, J. Nah, A. M. Niknejad, A. Javey, Nano Lett. 2012, 12, 1527.
11. C. W. Lee, C.-H. Weng, L. Wei, Y. Chen, M. B. Chan-Park, C.-H. Tsai, K.-C. Leou, C. H. P. Poa, J. Wang, L.-J. Li, J. Phys. Chem. C. 2008, 112, 12089.
12. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
13. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, G. N. Jr., Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
14. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2541.
15. C. Dagdeviren, S.-W. Hwang, Y. Su, S. Kim, H. Cheng, O. Gur, R. Haney, F. G. Omenetto, Y. Huang, J. A. Rogers, Small 2013, 9, 3398.
16. P. K. Yang, W.-Y. Chang, P.-Y. Teng, S.-F. Jeng, S.-J. Lin, P.-W. Chiu, J.-H. He, Proc. IEEE 2013, 101, 1732.
17. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, T. Kawai, J. Appl. Phys. 2003, 93, 1624.
18. R. L. Hoffman, B. J. Norris, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 733.
19. B. S. Ong, C. Li, Y. Li, Y. Wu, R. Loutfy, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 2750.
20. A. Bashir, P. H. Wöbkenberg, J. Smith, J. M. Ball, G. Adamopoulos, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2009, 21, 2226.
21. I. D. Kim, Y. Choi, H. L. Tuller, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043509.
22. R. J. Mendelsberg, S. H. N. Lim, Y. K. Zhu, J. Wallig, D. J. Milliron, A. Anders, J. Phys. Appl. Phys. 2011, 44, 232003.
23. A. Anders, G. Y. Yushkov, J. Appl. Phys. 2002, 91, 4824.
24. A. Anders, Cathodic Arcs: From Fractal Spots to Energetic Condensation, Springer Science & Business Media, New York 2009.
25. C. Y. Lee, C. Chang, W.-P. Shih, C.-L. Dai, Thin Solid Films 2010, 518, 3992.
26. Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. F. Yu, B. K. Tay, X. H. Zhang, K. Y. Tse, H. H. Hng, J. Appl. Phys. 2003, 94, 1597.
27. D. M. Detert, S. H. M. Lim, K. Tom, A. V. Luce, A. Anders, O. D. Dubon, K. M. Yu, W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 232103.
28. B. E. Warren, X-Ray Diffraction, Courier Dover Publications, New York 1969.
29. U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doʇan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoç, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041301.
30. Y.-L. Wang, F. Ren, W. Lim, D. P. Norton, S. J. Pearton, I. I. Kravchenko, J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 232103.
31. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 4303.
32. A. Suresh, P. Wellenius, A. Dhawan, J. Muth, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 123512.
33. Y.-H. Kim, J.-S. Heo, T.-H. Kim, S. Park, M.-H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G.-R. Yi, Y.-Y. Noh, S. K. Park, Nature 2012, 489, 128.
34. J. B. Kim, C. Fuentes-Hernandez, B. Kippelen, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 242111.
35. H. Bong, W. H. Lee, D. Y. Lee, B. J. Kim, J. H. Cho, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 192115.
36. X. Xu, Q. Cui, Y. Jin, X. Guo, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 222114.
37. N.-C. Su, S.-J. Wang, C.-C. Huang, Y.-H. Chen, H.-Y. Huang, C.-K. Chiang, A. Chin, IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 680.
38. K. Takei, T. Takahashi, J. C. Ho, H. Ko, A. G. Gillies, P. W. Leu, R. S. Fearing, A. Javey, Nat. Mater. 2010, 9, 821.
39. C. Wang, D. Hwang, Z. Yu, K. Takei, J. Park, T. Chen, B. Ma, A. Javey, Nat. Mater. 2013, 12, 899.