Three-Dimensional Networked Nanoporous Ta2O5-x Memory System for Ultrahigh Density Storage

Nano Letters

Volumn 15, Issue 9, 2015, Pages 6009-6014

  Wang, Gunuk ^a,d   Lee, Jae Hwang ^e   Yang, Yang ^a   Ruan, Gedeng ^a   Kim, Nam Dong ^a   Ji, Yongsung ^a   Tour, James M ^a,b,c  

^a RICE UNIVERSITY   (United States)

^b Rice University   (United States)

^c RICE UNIVERSITY   (United States)

^d Korea University   (South Korea)

^e University of Massachusetts   (United States)

Author keywords

Nanoporous; nonvolatile memory; resistive memory; Ta2O5 x; tantalum oxide

Indexed keywords

ELECTRIC FIELDS; LEAKAGE CURRENTS; NONVOLATILE STORAGE; TANTALUM OXIDES;

LOW-LEAKAGE CURRENT; NANO-POROUS; NON-VOLATILE MEMORY; RESISTIVE MEMORY; SWITCHING CHARACTERISTICS; TA2O5-X; THREEDIMENSIONAL (3-D); ULTRAHIGH DENSITY STORAGE;

MEMORY ARCHITECTURE;

EID: 84941093453     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02190     Document Type: Article

References (27)

1. ITRS. International Technology Roadmap for Semiconductors: 2013 Edition-Emerging Research Devices. http://www.itrs.net/ITRS%201999-2014%20Mtgs,%20Presentations%20&%20Links/2013ITRS/2013Chapters/2013ERD-Summary.pdf
2. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429-433 10.1038/nnano.2008.160
3. Kwon, D.-H.; Kim, K. M.; Jang, J. H.; Jeon, J. M.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Li, X.-S.; Park, G.-S.; Lee, B.; Han, S.; Kim, M.; Hwang, C. S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148-153 10.1038/nnano.2009.456
4. Jo, S. H.; Lu, W. Nano Lett. 2008, 8, 392-397 10.1021/nl073225h
5. Kim, S.; Jeong, H. Y.; Kim, S. K.; Choi, S.-Y.; Lee, K. J. Nano Lett. 2011, 11, 5438-5442 10.1021/nl203206h
6. Kim, G. H.; Lee, J. H.; Ahn, Y.; Jeon, W.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Yoon, J. H.; Yoon, K. J.; Park, T. J.; Hwang, C. S. Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 1440-1449 10.1002/adfm.201202170
7. Wang, G.; Lauchner, A. C.; Lin, J.; Natelson, D.; Palem, K. V.; Tour, J. M. Adv. Mater. 2013, 25, 4789-4793 10.1002/adma.201302047
8. Lee, M. J.; Seo, S.; Kim, D. C.; Ahn, S. E.; Seo, D. H.; Yoo, I. K.; Baek, I. G.; Kim, D. S.; Byun, I. S.; Kim, S. H.; Hwang, I. R.; Kim, J. S.; Jeon, S. H.; Park, B. H. Adv. Mater. 2007, 19, 73-76 10.1002/adma.200601025
9. Jiun-Jia, H.; Yi-Ming, T.; Wun-Cheng, L.; Chung-Wei, H.; Tuo-Hung, H. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2011, 31.37.31-31.37.34 10.1109/IEDM.2011.6131653
10. Lee, W.; Park, J.; Kim, S.; Woo, J.; Shin, J.; Choi, G.; Park, S.; Lee, D.; Cha, E.; Lee, B. H.; Hwang, H. ACS Nano 2012, 6, 8166-8172 10.1021/nn3028776
11. Lee, M.-J.; Lee, D.; Cho, S.-H.; Hur, J.-H.; Lee, S.-M.; Seo, D. H.; Kim, D.-S.; Yang, M.-S.; Lee, S.; Hwang, E.; Uddin, M. R.; Kim, H.; Chung, U. I.; Park, Y.; Yoo, I.-K. Nat. Commun. 2013, 4, 2629 10.1038/ncomms3629
12. Lee, M.-J.; Lee, C. B.; Lee, D.; Lee, S. R.; Chang, M.; Hur, J. H.; Kim, Y.-B.; Kim, C.-J.; Seo, D. H.; Seo, S.; Chung, U. I.; Yoo, I.-K.; Kim, K. Nat. Mater. 2011, 10, 625-630 10.1038/nmat3070
13. Lee, A. R.; Bae, Y. C.; Im, H. S.; Hong, J. P. Appl. Surf. Sci. 2013, 274, 85-88 10.1016/j.apsusc.2013.02.100
14. Liu, X.; Sadaf, S. M.; Sangsu, P.; Seonghyun, K.; Euijun, C.; Daeseok, L.; Gun-Young, J.; Hyunsang, H. IEEE Electron Device Lett. 2013, 34, 235-237 10.1109/LED.2012.2235816
15. Yu, S.; Chen, H.-Y.; Gao, B.; Kang, J.; Wong, H. S. P. ACS Nano 2013, 7, 2320-2325 10.1021/nn305510u
16. Lo, C.-L.; Tuo-Hung, H.; Mei-Chin, C.; Jiun-Jia, H. IEEE Trans. Electron Devices 2013, 60, 420-426 10.1109/TED.2012.2225147
17. Seok, J. Y.; Song, S. J.; Yoon, J. H.; Yoon, K. J.; Park, T. H.; Kwon, D. E.; Lim, H.; Kim, G. H.; Jeong, D. S.; Hwang, C. S. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 5316-5339 10.1002/adfm.201303520
18. Woo, J.; Lee, D.; Choi, G.; Cha, E.; Kim, S.; Lee, W.; Park, S.; Hwang, H. Microelectron. Eng. 2013, 109, 360-363 10.1016/j.mee.2013.03.130
19. Lee, J.; Jungho, S.; Daeseok, L.; Wootae, L.; Seungjae, J.; Minseok, J.; Jubong, P.; Biju, K. P.; Seonghyun, K.; Sangsu, P.; Hyunsang, H. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2010, 19.5.1-19.5.4 10.1109/IEDM.2010.5703393
20. Yang, Y.; Lee, J.; Lee, S.; Liu, C.-H.; Zhong, Z.; Lu, W. Adv. Mater. 2014, 26, 3693-3699 10.1002/adma.201400270
21. Chang, S. H.; Lee, S. B.; Jeon, D. Y.; Park, S. J.; Kim, G. T.; Yang, S. M.; Chae, S. C.; Yoo, H. K.; Kang, B. S.; Lee, M. J.; Noh, T. W. Adv. Mater. 2011, 23, 4063-4067 10.1002/adma.201102395
22. Kim, K.-H.; Jo, S. H.; Gaba, S.; Lu, W. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 053106-053103 10.1063/1.3294625
23. Zhuo, V. Y.-Q.; Jiang, Y.; Li, M. H.; Chua, E. K.; Zhang, Z.; Pan, J. S.; Zhao, R.; Shi, L. P.; Chong, T. C.; Robertson, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 062106 10.1063/1.4792274
24. Wang, G.; Kim, Y.; Choe, M.; Kim, T.-W.; Lee, T. Adv. Mater. 2011, 23, 755-760 10.1002/adma.201003178
25. Moo, J.; Awaludin, Z.; Okajima, T.; Ohsaka, T. J. Solid State Electrochem. 2013, 17, 3115-3123 10.1007/s10008-013-2216-y
26. Yang, Y.; Choi, S.; Lu, W. Nano Lett. 2013, 13, 2908-2915 10.1021/nl401287w
27. Lee, S.; Woo, J.; Lee, D.; Cha, E.; Park, J.; Moon, K.; Song, J.; Koo, Y.; Hwang, H. Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 052108 10.1063/1.4864471