Tunnel barrier engineering of titanium oxide for high non-linearity of selector-less resistive random access memory

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 5, 2014, Pages

  Lee, Sangheon ^a   Woo, Jiyong ^a   Lee, Daeseok ^a   Cha, Euijun ^a   Park, Jaesung ^a   Moon, Kibong ^a   Song, Jeonghwan ^a   Koo, Yunmo ^a   Hwang, Hyunsang ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

OXYGEN; THERMAL ENGINEERING; THERMOOXIDATION; TITANIUM OXIDES;

DEFECT DISTRIBUTION; EFFECTIVE SUPPRESSION; LOW-RESISTANCE STATE; MULTIPLE LAYERS; OXYGEN PROFILES; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; THERMAL OXIDATION; TUNNEL BARRIER;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 84899864574     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4864471     Document Type: Article

References (15)

1. R. Waser and M. Aono, Nature Mater. 6, 833 (2007). 10.1038/nmat2023
2. B. Govoreanu, G. S. Kar, Y. Chen, V. Paraschiv, S. Kubicek, A. Fantini, I. P. Radu, L. Goux, S. Clima, R. Degraeve, N. Jossart, O. Richard, T. Vandeweyer, K. Seo, P. Hendrickx, G. Pourtois, H. Bender, L. Altimime, D. J. Wouters, J. A. Kittl, and M. Jurczak, 10×10nm 2 Hf/HfO x crossbar resistive RAM with excellent performance, reliability and low-energy operation. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM., 2011, 6131652, 31.6.1-31.6.4. DOI: 10.1109/IEDM.2011.6131652
3. S. G. Park, B. Magyari-Kope, and Y. Nishi, VLSI Symp. Tech. Dig. 2011, 46.
4. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U. I. Chung, and I. T. Moon, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.
5. M. J. Lee, D. S. Lee, H. J. Kim, H. S. Choi, J. B. Park, H. G. Kim, Y. K. Cha, U. I. Chung, I. K. Yoo, and K. N. Kim, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2012, 2-6.
6. S. H. Kim, X. Liu, J. B. Park, S. J. Jung, W. T. Lee, J. Y. Woo, J. H. Shin, G. D. Choi, C. H. Cho, S. S. Park, D. S. Lee, E. J. Cha, B. H. Lee, H. D. Lee, S. G. Kim, S. O. Chung, and H. S. Hwang, VLSI Symp. Tech. Dig. 2012, 155.
7. W. T. Lee, J. B. Park, J. H. Shin, J. Y. Woo, S. H. Kim, G. D. Choi, S. J. Jung, S. S. Park, D. S. Lee, E. J. Cha, H. D. Lee, S. G. Kim, S. O. Chung, and H. S. Hwang, VLSI Symp. Tech. Dig. 2012, 37.
8. J. Y. Woo, W. T. Lee, S. S. Park, S. H. Kim, D. S. Lee, G. D. Choi, E. J. Cha, J. H. Lee, W. Y. Jung, C. G. Park, and H. S. Hwang, VLSI Symp. Tech. Dig. 2013, 168.
9. H. D. Lee, S. G. Kim, K. Cho, H. Hwang, H. Choi, J. Lee, S. H. Lee, J. Suh, S. O. Chung, Y. S. Kim, K. S. Kim, W. S. Nam, J. T. Cheong, J. T. Kim, S. Chae, E. R. Hwang, S. N. Park, S. Sohn, C. G. Lee, H. S. Shin, K. J. Lee, K. Hong, H. G. Jeong, K. M. Rho, Y. K. Kim, S. Chung, J. Nickel, J. J. Yang, H. S. Cho, F. Perner, R. S. Williams, J. H. Lee, S. K. Park, and S. J. Hong, VLSI Symp. Tech. Dig. 2012, 151.
10. H. Y. Chen, S. Yu, P. Huang, J. Kang, and H. S. P. Wong, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2012, 498.
11. J. Y. Woo, S. H. Kim, W. T. Lee, D. S. Lee, S. S. Park, G. D. Choi, E. J. Cha, and H. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 122115 (2013). 10.1063/1.4799148
12. J. J. Yang, J. Borghetti, D. Murphy, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Adv. Mater. 21, 3754 (2009). 10.1002/adma.200900822
13. J. Jung and W. J. Cho, J. Semicond. Technol. Sci. 8, 32 (2008). 10.5573/JSTS.2008.8.1.032
14. D. J. Kirk, D. Cockayne, A. K. Petford-Long, and G. Yi, J. Appl. Phys. 106, 123915 (2009). 10.1063/1.3243230
15. B. R. Chracanovic, A. R. Pedrosa, and M. D. Martins, Mater. Res. 15, 372 (2012). 10.1590/S1516-14392012005000035