Vibrational properties of AlN grown on (111)-oriented silicon

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 63, Issue 12, 2001, Pages

  Prokofyeva, T ^a   Seon, M ^a   Vanbuskirk, J ^a   Holtz, M ^a   Nikishin, S A ^b   Faleev, N N ^b   Temkin, H ^b   Zollner, S ^c  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b Texas Tech University   (United States)

^c MOTOROLA INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84897916497     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.63.125313     Document Type: Article

References (55)

1. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten: J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
2. T. Shiosaki, T. Yamamoto, T. Oda, and A. Kawabata: J. Appl. Phys. 36, 643 (1980).
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, J. Fina, J. Pusl, M. Le, N. X. Nguyen, C. Nguyen, D. Widman, S. Keller, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra: Electron. Lett. 33, 1742 (1977).
4. J. Meinschien, F. Falk, H. Hobert, and H. Stafast: Appl. Surf. Sci. 138-139, 543 (1999).
5. A. Ohtani, K. S. Stevens, and R. Beresford: Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1994).
6. E. Callerja, M. A. Sánchez-García, E. Monroy, F. J. Sánchez, E. Muñoz, A. Sanz-Hervás, C. Villar, and M. Aguilar: J. Appl. Phys. 82, 4681 (1997).
7. K. Yasutake, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, and K. Yoshii: J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2140 (1998).
8. A. Bourret, A. Barski, J. L. Rouviere, G. Renaud, and A. Barbier: J. Appl. Phys. 83, 2003 (1998).
9. S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, A. Konkar, and S. Zollner: Appl. Phys. Lett. 75, 484 (1999).
10. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, H. Temkin, and S. N. G. Chu: Electrochem. Soc. Proc. 99-17, 238(1999).
11. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, S. N. G. Chu, A. S. Zubrilov, Y. Melnik, V. Dmitriev, and H. Temkin: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W8.3 (2000).
12. G. D. Kipshidze, H. P. Shenk, A. Fissel, U. Kaiser, J. Schulze, Wo. Richter, M. Weinacht, R. Kunze, and J. Kräusslich: Semiconductors 33, 1241 (1999).
13. A. T. Collins, E. C. Lightowlers, and P. J. Dean: Phys. Rev. 158, 833 (1967).
14. I. Akasaki and M. Hashimoto: Solid State Commun. 5, 851 (1967).
15. M. F. MacMillan, R. P. Devaty, and W. J. Choyke: Appl. Phys. Lett. 62, 750 (1993).
16. H. P. Schenk, U. Kaiser, G. D. Kipshidze, A. Fissel, J. Kräußlich, H. Hobert, J. Schulze, and Wo. Richter: Mater. Sci. Eng. B 59, 84 (1999).
17. K. S. Jagannadham, S. K. Sharma, Q. Wei, R. Kalyanraman, and J. Narayan: J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2804 (1998).
18. R. Y. Krupitskaya and G. W. Auner: J. Appl. Phys. 84, 2861 (1998).
19. R. D. Vispute, J. Narayan, and J. D. Budai: Thin Solid Films 299, 94 (1997).
20. V. Yu. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, and O. K. Semchinova: J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
21. T. E. Tiwald, J. A. Woolam, S. Zollner, J. Christiansen, R. B. Gregory, T. Wetteroth, S. R. Wilson, and A. R. Powell: Phys. Rev. B 60, 11 464 (1999).
22. D. W. Berreman: Phys. Rev. 130, 2193 (1963).
23. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, and H. Temkin: Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000).
24. B. Monemar, J. P. Bergman, and I. A. Buyanova, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997).
25. B. Gil, in Gallium Nitride II, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, Boston, 1999), Vol. 57.
26. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis: Phys. Rev. B 54, 17 745 (1996).
27. H. Siegle, P. Thurian, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu: Appl. Phys. Lett. 68, 1265 (1996).
28. M. Holtz, M. Seon, T. Prokofyeva, H. Temkin, R. Singh, F. P. Dabkowski, and T. D. Moustakas: Appl. Phys. Lett. 75, 1757 (1999).
29. C. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, R. Nemanich, and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 179, 363 (1997).
30. L. Bergman, M. Dutta, C. Balkas, R. F. Davis, J. A. Christman, D. Alexson, and R. J. Nemanich: J. Appl. Phys. 85, 3535 (1999).
31. O. Brafman, G. Lengyel, S. S. Mitra, P. J. Gielisse, J. N. Plendl, and L. C. Mansur: Solid State Commun. 6, 523 (1968).
32. E. Anastassakis, A. Pinczuk, E. Burstein, F. H. Pollak, and M. Cardona: Solid State Commun. 8, 133 (1970).
33. K. Tsubouchi, K. Sugai, and N. Mikoshiba, in Ultrasonics Symposia Proceedings, edited by B. R. McAvoy (IEEE, New York, 1981), p. 375.
34. L. E. McNeil, M. Grimsditch, and R. H. French: J. Am. Ceram. Soc. 76, 1132 (1993).
35. V. Yu. Davydov, Yu. E. Kitaev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M. B. Smirnov, A. P. Mirgorodsky, and R. A. Evarestov: Phys. Rev. B 58, 12 899 (1998).
36. C. Deger, E. Born, H. Angerer, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, and G. Fischerauer: Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
37. E. Ruiz, S. Alvarez, and P. Alemany: Phys. Rev. B 49, 7115 (1994).
38. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall: Phys. Rev. B 53, 16 310 (1996).
39. A. F. Wright: J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
40. S. A. Nikishin (unpublished).
41. T. E. Tiwald, D. W. Thompson, J. A. Woolam, W. Paulson, and R. Hance: Thin Solid Films 313-314, 661 (1998).
42. R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (North-Holland, New York, 1977).
43. M. Schubert, M. A. Kasic, T. E. Tiwald, J. Off, B. Kuhn, and F. Scholz: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 1 (1999).
44. W. G. Spitzer in Optical Properties of III-V Compounds, Vol. 3 of Semiconductors and Semimetals, edited by Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1967), p. 17.
45. K. Karch, J.-M. Wagner, H. Siegle, C. Thomsen, and F. Bechstedt: Mater. Sci. Forum 264-268, 303 (1998).
46. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
47. T. Prokofyeva (unpublished).
48. K. Kornitzer, W. Limmer, K. Thonke, R. Sauer, D. G. Ebling, L. Steinke, and K. W. Benz: J. Cryst. Growth 201-202, 441 (1999).
49. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe: J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
50. H. Schultz and K. H. Thiemann: Solid State Commun. 23, 815 (1977).
51. I. H. Lee, I. H. Choi, C. R. Lee, E. J. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S. J. Son, K. Y. Lim, and H. J. Lee: J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
52. Y. Okada and Y. Tokumaru: J. Appl. Phys. 56, 314 (1984).
53. K. Wang and R. R. Reeber, in Nitride Semiconductors: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. No. 482, edited by F. A. Ponce, S. P. DenBaars, B. K. Meyer, S. Nakamura, and S. Strite (Materials Research Society, Warrendale, PA, 1998), p. 863.
54. J. Han, M. N. Crawford, R. J. Shul, S. J. Hearne, E. Chason, J. J. Figiel, and M. Banas: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 451, G7.7 (1999).
55. J. Gleize, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, F. Widmann, and B. Daudin: Appl. Phys. Lett. 74, 703 (1999).