Micro-raman imaging of GaN hexagonal island structures

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 12, 1999, Pages 1757-1759

  Holtz, M ^a   Seon, M ^a   Prokofyeva, T ^a   Temkin, H ^b   Singh, R ^c   Dabkowski, F P ^c   Moustakas, T D ^d  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b Department of Electrical and Computer Engineering   (United States)

^c POLAROID CORPORATION   (United States)

^d Boston University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001180556     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124810     Document Type: Article

References (23)

1. J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1998), Vol. 50, p. 9.
2. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
3. N. Grandjean, J. Massies, P. Vennéguès, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, and J. Frandon, J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998).
4. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
5. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
6. W. D. Herzog, R. Singh, B. B. Goldberg, T. D. Moustakas, F. P. Dabkowski, and M. S. Unlu, Electron. Lett. 34, 1970 (1998).
7. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruminov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
8. N. V. Edwards, S. D. Yoo, M. D. Bremser, T. W. Weeks, Jr., O. H. Nam, H. Liu, R. A. Stall, M. N. Horton, N. R. Perkins, T. F. Kuech, and D. E. Aspnes, Appl. Phys. Lett. 70, 2001 (1997).
9. H. Siegle, P. Thurian, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 68, 1265 (1996).
10. H. Siegle, A. Hoffmann, L. Eckey, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, D. Schmidt, D. Rudloff, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 71, 2490 (1997).
11. F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999).
12. M. Holtz, M. Seen, O. Brafman, R. Manor, and D. Fekete, Phys. Rev. B 54, 8714 (1996).
13. M. Holtz, J. C. Carty, and W. Duncan, Appl. Phys. Lett. 74, 2008 (1999).
14. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
15. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
16. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, C. Meny, O. Briot, and R. L. Aulombard, J. Appl. Phys. 82, 1305 (1997).
17. J. I. Pankove, in Non-Stoichiometry in Semiconductors, edited by K. J. Bachmann, H.-L. Hwang, and C. Schwab (Elsevier, New York, 1992), p. 143.
18. A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 3320 (1999).
19. J. A. Freitas, Jr., O. H. Nam, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 189/190, 92 (1998).
20. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
21. J. A. Freitas, Jr., O.-H. Nam, R. F. Davis, G. V. Saparin, and S. K. Obyden, Appl. Phys. Lett. 72, 2990 (1998).
22. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).
23. I.-H. Lee, I.-H. Choi, C.-R. Lee, E.-J. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S.-J. Son, K. Y. Lim, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).