SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 2, Issue 7, 2014, Pages 1255-1259

A flexible AMOLED display on the PEN substrate driven by oxide thin-film transistors using anodized aluminium oxide as dielectric

(10) Xu, Hua a Luo, Dongxiang a Li, Min a Xu, Miao a,b Zou, Jianhua a,b Tao, Hong a,b Lan, Linfeng a Wang, Lei a,b Peng, Junbiao a Cao, Yong a

a SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (China)

b New Vision Opto Electronic Technology Co Ltd (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AM-OLED; ANODIZED ALUMINIUM OXIDES; FIELD-EFFECT MOBILITIES; OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS; OXIDE THINFILM TRANSISTORS (TFTS); POLYETHYLENE NAPHTHALATE; PROCESS TEMPERATURE; SUBTHRESHOLD SWING;

ANODIC OXIDATION; DISPLAY DEVICES; FLEXIBLE DISPLAYS; GATE DIELECTRICS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED);

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84893046011 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3tc31710b Document Type: Article

Times cited : (93)

References (29)

1
- 67650483313
- J. S. Park T. W. Kim D. Stryakhilev J. S. Lee S. G. An Y. S. Pyo D. B. Lee Y. G. Mo D. U. Jin H. K. Chung Appl. Phys. Lett. 2009 95 013503
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 013503
- Park, J.S.¹ Kim, T.W.² Stryakhilev, D.³ Lee, J.S.⁴ An, S.G.⁵ Pyo, Y.S.⁶ Lee, D.B.⁷ Mo, Y.G.⁸ Jin, D.U.⁹ Chung, H.K.¹⁰

2
- 84858991215
- K. Hatano A. Chida T. Okano N. Sugisawa T. Inoue S. Seo K. Suzuki Y. Oikawa H. Miyake J. Koyama S. Yamazaki S. Eguchi M. Katayama M. Sakakura Jpn. J. Appl. Phys. 2011 50 03CC06
- (2011) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.50
- Hatano, K.¹ Chida, A.² Okano, T.³ Sugisawa, N.⁴ Inoue, T.⁵ Seo, S.⁶ Suzuki, K.⁷ Oikawa, Y.⁸ Miyake, H.⁹ Koyama, J.¹⁰ Yamazaki, S.¹¹ Eguchi, S.¹² Katayama, M.¹³ Sakakura, M.¹⁴

3
- 0038374104
- T. Kamiya Z. A. K. Durrani H. Ahmed T. Sameshima Y. Furuta H. Mizuta N. Lloyd J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct.-Process., Meas., Phenom. 2003 21 1000
- (2003) J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct.-Process., Meas., Phenom. , vol.21 , pp. 1000
- Kamiya, T.¹ Durrani, Z.A.K.² Ahmed, H.³ Sameshima, T.⁴ Furuta, Y.⁵ Mizuta, H.⁶ Lloyd, N.⁷

4
- 70350582950
- C. Yang K. Hong J. Jang D. S. Chung T. K. An W.-S. Choi C. E. Park Nanotchnology 2009 20 465201
- (2009) Nanotchnology , vol.20 , pp. 465201
- Yang, C.¹ Hong, K.² Jang, J.³ Chung, D.S.⁴ An, T.K.⁵ Choi, W.-S.⁶ Park, C.E.⁷

5
- 9744248669
- K. Nomura H. Ohta A. Takagi T. Kamiya M. Hirano H. Hosono Nature 2004 432 488
- (2004) Nature , vol.432 , pp. 488
- Nomura, K.¹ Ohta, H.² Takagi, A.³ Kamiya, T.⁴ Hirano, M.⁵ Hosono, H.⁶

6
- 43049106497
- W. Lim S. Kim Y. L. Wang J. W. Lee D. P. Norton S. J. Pearton F. Ren I. I. Kravchenkoc J. Electrochem. Soc. 2008 155 H383
- (2008) J. Electrochem. Soc. , vol.155 , pp. 383
- Lim, W.¹ Kim, S.² Wang, Y.L.³ Lee, J.W.⁴ Norton, D.P.⁵ Pearton, S.J.⁶ Ren, F.⁷ Kravchenkoc, I.I.⁸

7
- 84555190794
- H. Xu L. Lan M. Xu J. Zou L. Wang D. Wang J. Peng Appl. Phys. Lett. 2011 99 253501
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 253501
- Xu, H.¹ Lan, L.² Xu, M.³ Zou, J.⁴ Wang, L.⁵ Wang, D.⁶ Peng, J.⁷

8
- 84861829395
- E. Fortunato P. Barquinha R. Martins Adv. Mater. 2012 24 2945
- (2012) Adv. Mater. , vol.24 , pp. 2945
- Fortunato, E.¹ Barquinha, P.² Martins, R.³

9
- 58149145296
- W. Lim E. A. Douglas S. H. Kim D. P. Norton S. J. Pearton F. Ren H. Shen W. H. Chang Appl. Phys. Lett. 2008 93 252103
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 252103
- Lim, W.¹ Douglas, E.A.² Kim, S.H.³ Norton, D.P.⁴ Pearton, S.J.⁵ Ren, F.⁶ Shen, H.⁷ Chang, W.H.⁸

10
- 66449128301
- M. J. Lee S. I. Kim C. B. Lee H. Yin S. E. Ahn B. S. Kang K. H. Kim J. C. Park C. J. Kim I. Song S. W. Kim G. Stefanovich J. H. Lee S. J. Chung Y. H. Kim Y. Park Adv. Funct. Mater. 2009 19 1587
- (2009) Adv. Funct. Mater. , vol.19 , pp. 1587
- Lee, M.J.¹ Kim, S.I.² Lee, C.B.³ Yin, H.⁴ Ahn, S.E.⁵ Kang, B.S.⁶ Kim, K.H.⁷ Park, J.C.⁸ Kim, C.J.⁹ Song, I.¹⁰ Kim, S.W.¹¹ Stefanovich, G.¹² Lee, J.H.¹³ Chung, S.J.¹⁴ Kim, Y.H.¹⁵ Park, Y.¹⁶

11
- 34248399209
- D. Kang H. Lim C. Kim I. Song J. Park Y. Park J. Chung Appl. Phys. Lett. 2007 90 192101
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 192101
- Kang, D.¹ Lim, H.² Kim, C.³ Song, I.⁴ Park, J.⁵ Park, Y.⁶ Chung, J.⁷

12
- 38649124068
- J. H. Kim B. D. Ahn C. H. Lee K. A. Jeon H. S. Kang S. Y. Lee Thin Solid Films 2008 516 1529
- (2008) Thin Solid Films , vol.516 , pp. 1529
- Kim, J.H.¹ Ahn, B.D.² Lee, C.H.³ Jeon, K.A.⁴ Kang, H.S.⁵ Lee, S.Y.⁶

13
- 84869059862
- L. J. Sang C. Seongpil K. S. Mo L. S. Yeol IEEE Electron Device Lett. 2010 31/3 225
- (2010) IEEE Electron Device Lett. , vol.313 , pp. 225
- Sang, L.J.¹ Seongpil, C.² Mo, K.S.³ Yeol, L.S.⁴

14
- 70549111131
- N. C. Su S. J. Wang A. Chin IEEE Electron Device Lett. 2009 20/12 1317
- (2009) IEEE Electron Device Lett. , vol.2012 , pp. 1317
- Su, N.C.¹ Wang, S.J.² Chin, A.³

15
- 84879217650
- S. Gieraltowska L. Wachnicki B. S. Witkowski E. Guziewicz M. Godlewski Chem. Vap. Deposition 2013 19 213
- (2013) Chem. Vap. Deposition , vol.19 , pp. 213
- Gieraltowska, S.¹ Wachnicki, L.² Witkowski, B.S.³ Guziewicz, E.⁴ Godlewski, M.⁵

16
- 84864762992
- R. S. Chen W. Zhou M. Zhang H. S. Kwok Thin Solid Films 2012 520 6681
- (2012) Thin Solid Films , vol.520 , pp. 6681
- Chen, R.S.¹ Zhou, W.² Zhang, M.³ Kwok, H.S.⁴

17
- 77952992656
- W. S. Cheong J. Y. Bak H. S. Kim Jpn. J. Appl. Phys. 2010 49 05EB10
- (2010) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.49
- Cheong, W.S.¹ Bak, J.Y.² Kim, H.S.³

18
- 84879644742
- C. H. Woo C. H. Ahn Y. H. Kwon J. H. Han H. K. Cho Met. Mater. Int. 2012 18 1055
- (2012) Met. Mater. Int. , vol.18 , pp. 1055
- Woo, C.H.¹ Ahn, C.H.² Kwon, Y.H.³ Han, J.H.⁴ Cho, H.K.⁵

19
- 84862822826
- K. H. Shin J. Cho J. Jang H. S. Jang E. S. Park K. Song S. H. Kim Org. Electron. 2012 12 715
- (2012) Org. Electron. , vol.12 , pp. 715
- Shin, K.H.¹ Cho, J.² Jang, J.³ Jang, H.S.⁴ Park, E.S.⁵ Song, K.⁶ Kim, S.H.⁷

20
- 77954255049
- M. Grundmann H. Frenzel A. Lajn M. Lorenz F. Schein H. V. Wenckstern Phys. Status Solidi A 2010 207 1437
- (2010) Phys. Status Solidi A , vol.207 , pp. 1437
- Grundmann, M.¹ Frenzel, H.² Lajn, A.³ Lorenz, M.⁴ Schein, F.⁵ Wenckstern, H.V.⁶

21
- 77950593384
- W. Xu S. W. Rhee Org. Electron. 2010 11 836
- (2010) Org. Electron. , vol.11 , pp. 836
- Xu, W.¹ Rhee, S.W.²

22
- 84874860840
- S. H. Kim I. I. Kang Y. G. Kim H. R. Hwang Y. H. Kim S. K. Kwon J. Jang J. Mater. Chem. C 2013 1 2408
- (2013) J. Mater. Chem. C , vol.1 , pp. 2408
- Kim, S.H.¹ Kang, I.I.² Kim, Y.G.³ Hwang, H.R.⁴ Kim, Y.H.⁵ Kwon, S.K.⁶ Jang, J.⁷

23
- 84876922360
- J. H. Park S. J. Lee T. I. I. Lee J. H. Kim C. H. Kim G. S. Chae M. H. Ham H. K. Baik J. M. Myoung J. Mater. Chem. C 2013 1 1840
- (2013) J. Mater. Chem. C , vol.1 , pp. 1840
- Park, J.H.¹ Lee, S.J.² Lee, T.I.I.³ Kim, J.H.⁴ Kim, C.H.⁵ Chae, G.S.⁶ Ham, M.H.⁷ Baik, H.K.⁸ Myoung, J.M.⁹

24
- 84893097639
- L. Lan J. Peng IEEE Trans. Electron Devices 2011 58 5
- (2011) IEEE Trans. Electron Devices , vol.58 , pp. 5
- Lan, L.¹ Peng, J.²

25
- 82555163325
- L. Lan M. Xu J. Peng H. Xu M. Li D. Luo J. Zou H. Tao L. Wang R. Yao J. Appl. Phys. 2011 110 103703
- (2011) J. Appl. Phys. , vol.110 , pp. 103703
- Lan, L.¹ Xu, M.² Peng, J.³ Xu, H.⁴ Li, M.⁵ Luo, D.⁶ Zou, J.⁷ Tao, H.⁸ Wang, L.⁹ Yao, R.¹⁰

26
- 0030646206
- J. M. Shaw J. D. Gelorme N. C. LaBianca W. E. Conley S. J. Holmes IBM J. Res. Dev. 1997 41 81
- (1997) IBM J. Res. Dev. , vol.41 , pp. 81
- Shaw, J.M.¹ Gelorme, J.D.² Labianca, N.C.³ Conley, W.E.⁴ Holmes, S.J.⁵

27
- 51349167642
- W. J. Park H. S. Shin B. Du Ahn G. H. Kim S. M. Lee K. H. Kim H. J. Kim Appl. Phys. Lett. 2008 93 083508
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 083508
- Park, W.J.¹ Shin, H.S.² Du Ahn, B.³ Kim, G.H.⁴ Lee, S.M.⁵ Kim, K.H.⁶ Kim, H.J.⁷

28
- 0035882150
- Z. Chen B. Cotterell W. Wang E. Guenther S. J. Chua Thin Solid Films 2001 394 201
- (2001) Thin Solid Films , vol.394 , pp. 201
- Chen, Z.¹ Cotterell, B.² Wang, W.³ Guenther, E.⁴ Chua, S.J.⁵

29
- 0000180678
- H. Gleskova S. Wagner Z. Suo Appl. Phys. Lett. 1999 75 3011
- (1999) Appl. Phys. Lett. , vol.75 , pp. 3011
- Gleskova, H.¹ Wagner, S.² Suo, Z.³

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.