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Volumn 730, Issue , 2013, Pages 84-90

Radiation damage in n-type silicon diodes after electron irradiation with energies between 1.5 MeV and 15 MeV

Author keywords

DLTS measurement; Electron irradiation; Radiation damage; Silicon detector; TSC measurement

Indexed keywords

BETWEEN CLUSTERS; CHARGED HADRONS; DEFECT FORMATION; DEFECT KINETICS; DLTS MEASUREMENTS; ELECTRON ENERGIES; ISOCHRONAL ANNEALING; N TYPE SILICON;

EID: 84888375536     PISSN: 01689002     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.nima.2013.04.080     Document Type: Article
Times cited : (27)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.