Redox-gated three-terminal organic memory devices: Effect of composition and environment on performance

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 21, 2013, Pages 11052-11058

  Das, Bikas C ^a,b   Pillai, Rajesh G ^a,b   Wu, Yiliang ^c   Mccreery, Richard L ^a,b  

^a UNIVERSITY OF ALBERTA   (Canada)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^c XEROX RESEARCH CENTRE OF CANADA   (Canada)

Author keywords

alternative nonvolatile memory; conductance switching; multistate memory; resistive memory; solid state redox reactions

Indexed keywords

CONDUCTANCE SWITCHING; MULTI-STATE MEMORY; NON-VOLATILE MEMORY; RESISTIVE MEMORY; SOLID-STATE REDOX REACTIONS;

CONDUCTING POLYMERS; ELECTROLYTES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NONVOLATILE STORAGE; REDOX REACTIONS; VAPORS;

IONS;

EID: 84887603666     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am4032828     Document Type: Article

References (54)

1. Heremans, P.; Gelinck, G. H.; Müller, R.; Baeg, K.-J.; Kim, D.-Y.; Noh, Y.-Y. Chem. Mater. 2011, 23, 341-358
2. Ling, Q.-D.; Liaw, D.-J.; Zhu, C.; Chan, D. S.-H.; Kang, E.-T.; Neoh, K.-G. Prog. Polym. Sci. 2008, 33, 917-978
3. Scott, J. C.; Bozano, L. D. Adv. Mater. 2007, 19, 1452-1463
4. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833-840
5. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663
6. Das, B. C.; Pal, A. J. Small 2008, 4, 542-547
7. Das, B. C.; Pal, A. J. ACS Nano 2008, 2, 1930-1938
8. Kozicki, M. N.; Park, M.; Mitkova, M. IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 331-338
9. Mitkova, M.; Kozicki, M. N.; Kim, H. C.; Alford, T. L. Thin Solid Films 2004, 449, 248-253
10. Ouyang, J.; Chu, C.-W.; Szmanda, C. R.; Ma, L.; Yang, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 918-922
11. Strukov, D. B.; Williams, R. S. Appl. Phys A: Mater. Sci. Process. 2009, 94, 515-519
12. Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80-83
13. Agapito, L. A.; Alkis, S.; Krause, J. L.; Cheng, H.-P. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 20713-20718
14. Verbakel, F.; Meskers, S. C. J.; Janssen, R. A. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 102103
15. Baeg, K.-J.; Noh, Y.-Y.; Ghim, J.; Lim, B.; Kim, D.-Y. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3678-3685
16. Hong, J.-Y.; Jeon, S. O.; Jang, J.; Song, K.; Kim, S. H. Org. Electron. 2013, 14, 979-983
17. Wu, J.; Mobley, K.; McCreery, R. J. Chem. Phys. 2007, 126, 24704
18. Wu, J.; McCreery, R. L. J. Electrochem. Soc. 2009, 156, P29-P37
19. Akihito, S. Mater. Today 2008, 11, 28-36
20. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429-433
21. Linn, E.; Rosezin, R.; Kugeler, C.; Waser, R. Nat. Mater. 2010, 9, 403-406
22. Caldwell, M. A.; Jeyasingh, R. G. D.; Wong, H. S. P.; Milliron, D. J. Nanoscale 2012, 4, 4382-4392
23. Nardone, M.; Simon, M.; Karpov, I. V.; Karpov, V. G. J. Appl. Phys. 2012, 112, 071101-071120
24. Ghosh, B.; Pal, A. J. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 18391-18395
25. Shoute, L.; Pekas, N.; Wu, Y.; McCreery, R. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2011, 102, 841-850
26. Barman, S.; Deng, F.; McCreery, R. L. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 11073-11081
27. Rahman, G. M. A.; Zhao, J.-H.; Thomson, D. J.; Freund, M. S. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 15600-15601
28. Zhao, J. H.; Thomson, D. J.; Pillai, R. G.; Freund, M. S. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 092113
29. Pillai, R. G.; Zhao, J. H.; Freund, M. S.; Thomson, D. J. Adv. Mater. 2008, 20, 49-53
30. Shin, K.-H.; Cho, J.; Jang, J.; Jang, H. S.; Park, E. S.; Song, K.; Kim, S. H. Org. Electron. 2012, 13, 715-720
31. Kumar, R.; Pillai, R. G.; Pekas, N.; Wu, Y.; McCreery, R. L. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 14869-14876
32. Bobbert, P. A.; Sharma, A.; Mathijssen, S. G. J.; Kemerink, M.; de Leeuw, D. M. Adv. Mater. 2012, 24, 1146-1158
33. Mathijssen, S. G. J.; Spijkman, M.-J.; Andringa, A.-M.; van Hal, P. A.; McCulloch, I.; Kemerink, M.; Janssen, R. A. J.; de Leeuw, D. M. Adv. Mater. 2010, 22, 5105-5109
34. Sharma, A.; Mathijssen, S. G. J.; Kemerink, M.; de Leeuw, D. M.; Bobbert, P. A. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 253305-253303
35. Chabinyc, M. L.; Endicott, F.; Vogt, B. D.; DeLongchamp, D. M.; Lin, E. K.; Wu, Y.; Liu, P.; Ong, B. S. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 113514-113513
36. Lee, J.; Kaake, L. G.; Cho, J. H.; Zhu, X.-Y.; Lodge, T. P.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8972-8981
37. Panzer, M. Ai. J.; Frisbie, C. Ai. D. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 1051-1056
38. Panzer, M. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 6599-6607
39. Panzer, M. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6960-6961
40. Liu, P.; Wu, Y.; Pan, H.; Li, Y.; Gardner, S.; Ong, B. S.; Zhu, S. Chem. Mater. 2009, 21, 2727-2732
41. Wu, Y.; Liu, P.; Gardner, S.; Ong, B. S. Chem. Mater. 2004, 17, 221-223
42. Ong, B. S.; Wu, Y.; Liu, P.; Gardner, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 3378-3379
43. Ong, B. S.; Wu, Y.; Liu, P.; Gardner, S. Adv. Mater. 2005, 17, 1141-1144
44. Daum, P.; Lenhard, J. R.; Rolison, D.; Murray, R. W. J. Am. Chem. Soc. 1980, 102, 4649-4653
45. Sullivan, M. G.; Murray, R. W. J. Phys. Chem. 1994, 98, 4343-4351
46. Terrill, R. H.; Hatazawa, T.; Murray, R. W. J. Phys. Chem. 1995, 99, 16676-16683
47. Terrill, R. H.; Murray, R. W. In Molecular Electronics; Jortner, J.; Ratner, M., Eds.; Blackwell Science Ltd.: Oxford, U.K., 1997; pp 215-239.
48. Terrill, R. H.; Sheehan, P. E.; Long, V. C.; Washburn, S.; Murray, R. W. J. Phys. Chem. 1994, 98, 5127-5134
49. Barsch, U.; Beck, F. Electrochim. Acta 1996, 41, 1761-1771
50. Kaihovirta, N.; Aarnio, H.; Wikman, C.-J.; Wilén, C.-E.; Österbacka, R. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 2605-2610
51. Liu, C.-C.; Yang, C.-M.; Liu, W.-H.; Liao, H.-H.; Horng, S.-F.; Meng, H.-F. Synth. Met. 2009, 159, 1131-1134
52. Masuda, H.; Asano, D. K.; Kaeriyama, K. Synth. Met. 1997, 84, 209-210
53. Johansson, E.; Larsson, S. Synth. Met. 2004, 144, 183-191
54. Ofer, D.; Crooks, R. M.; Wrighton, M. S. J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 7869-7879