Crystalline properties and strain relaxation mechanism of CVD grown GeSn

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 4, 2013, Pages

  Gencarelli, F ^a,b   Vincent, B ^a   Demeulemeester, J ^b   Vantomme, A ^b   Moussa, A ^a   Franquet, A ^a   Kumar, A ^a,b   Bender, H ^a   Meersschaut, J ^a   Vandervorst, W ^a,b   Loo, R ^a   Caymax, M ^a   Temst, K ^b   Heyns, M ^a,b  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84879858145     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.011304jss     Document Type: Article

References (27)

1. J. Kouvetakis, J. Menendez, and A. V. G. Chizmeshya, Annu. Rev. Mater. Res., 36, 497 (2006).
2. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B, 36, 7994 (1987).
3. G. He and H. A. Atwater, Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997).
4. S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, and A. Sakai, Appl. Phys. Lett., 92, 231916 (2008).
5. C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett., 98, 192110 (2011).
6. B. Vincent, F. Gencarelli, D. Lin, L. Nyns, O. Richard, H. Bender, B. Douhard, A. Moussa, C. Merckling, L. Witters, W. Vandervorst, R. Loo, M. Caymax, and M. Heyns, ECS Trans., 41, 239 (2011).
7. R. Roucka, J. Tolle, C. Cook, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, V. D'Costa, J. Menendez, Z. D. Chen, and S. Zollner, Appl. Phys. Lett., 86, 191912 (2005).
8. L. Vegard, Z. Phys., 5, 17 (1921).
9. Y. Chibane and M. Ferhat, J. Appl. Phys., 107, 053512 (2010).
10. R. Beeler, R. Roucka, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and J. Menendez, Phys. Rev. B, 84, 035204 (2011).
11. A. V. G. Chizmeshya, M. R. Bauer, and J. Kouvetakis, Chem. Mater., 15, 2511 (2003).
12. R. Loo, G. Wanng, L. Souriau, J. C. Lin, S. Takeuchi, G. Brammertz, and M. Caymax, J. Electrochem. Soc., 157(1), H13 (2010).
13. B. Vincent, F. Gencarelli, H. Bender, C. Merckling, B. Douhard, D. H. Petersen, O. Hansen, H. H. Henrichsen, J. Meersschaut, W. Vandervorst, M. Heyns, R. Loo, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett., 99, 152103 (2011).
14. F. Gencarelli, B. Vincent, L. Souriau, O. Richard, W. Vandervorst, R. Loo, M. Caymax, and M. Heyns et al., Thin Solid Films, 520, 3211 (2012).
15. S. Decoster, S. Cottenier, U. Wahl, J. G. Correia, and A. Vantomme, Phys. Rev. B, 81, 155204 (2010).
16. E. Kasper, A. Schuh, G. Bauer, B. Holländer, and H. Kibbel, J. Cryst. Growth, 157, 68 (1995).
17. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974).
18. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. R. Soc. London, Ser. A, 198 (1949).
19. R. Hull, J. C. Bean, D. J. Werder, and R. E. Leibenguth, Phys. Rev. B, 40, 1681 (1989).
20. G. Wang, R. Loo, S. Takeuchi, L. Souriau, J. C. Lin, A. Moussa, H. Bender, B. De Jaeger, P. Ong, W. Lee, M. Meuris, M. Caymax, W. Vandervorst, B. Blanpain, and M. M. Heyns, Thin Solid Films, 518, 2538 (2010).
21. W. Dorsh, S. Christiansen, M. Albrecht, P. O. Hansson, E. Bauser, and H. P. Strunk, Surface Science, 331, 896 (1995).
22. S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett., 57, 2110 (1990).
23. B. Voigtlander and N. Theuerkauf, Surface Science, 461, L575 (2000).
24. S. Yu. Shiryaev, F. Jensen, J. L. Hansen, J. W. Petersen, and A. N. Larsen, Phy. Rev. Lett., 78, 503 (1997).
25. K. A. Bratland, Y. L. Foo, T. Spila, H.-S. Seo, R. T. Haasch, P. Desjardins, and J. E. Greene, J. Appl. Phys., 97, 044904 (2005).
26. C. W. Snyder, J. F. Mansfield, and B. G. Orr, Phys. Rev. B, 46, 9551 (1992).
27. T. I. Kamins, G. A. D. Briggs, and R. Stanley Williams, Appl. Phys. Lett., 73, 1862 (1998).