Influence of HCl on the chemical vapor deposition and etching of Ge islands on Si(001)

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 13, 1998, Pages 1862-1864

  Kamins, T I ^a   Briggs, G A D ^a   Williams, R Stanley ^a  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001813113     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122307     Document Type: Article

References (11)

1. M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, and O. Nishikawa, Appl. Surf. Sci. 76/77, 322 (1994).
2. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science 279, 355 (1998).
3. I. Goldfarb, J. H. G. Owen, P. T. Hayden, K. Miki, and G. A. D. Briggs, Surf. Sci. 394, 105 (1997).
4. T. I. Kamins and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 71, 1201 (1997).
5. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams (unpublished, 1998).
6. A. Ishitani, N. Endo, and H. Tsuya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L391 (1984).
7. T. I. Kamins, E. C. Carr, R. S. Williams, and S. J. Rosner, J. Appl. Phys. 81, 211 (1997).
8. T. I. Kamins, J. Appl. Phys. 74, 5799 (1993).
9. T. I. Kamins, D. W. Vook, P. K. Yu, and J. E. Turner, Appl. Phys. Lett. 61, 669 (1992).
10. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
11. Z. H. Lu, Appl. Phys. Lett. 68, 520 (1996).