Effect of high-pressure inert gas annealing on AlON/Ge gate stacks

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 9, 2012, Pages

  Tabata, Toshiyuki ^a,b   Nagashio, Kosuke ^a,b   Toriumi, Akira ^a,b  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

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ALUMINUM OXYNITRIDE; EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; GAS ANNEALING; GATE STACKS; INTERFACE LAYER; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTORS; POST DEPOSITION ANNEALING; THIN DIELECTRIC FILM;

ANNEALING; DIELECTRIC FILMS; ELECTRIC PROPERTIES; GERMANIUM; HIGH PRESSURE EFFECTS; LOGIC GATES; MIS DEVICES; NITRIDES; OXIDE FILMS;

INERT GASES;

EID: 84866372482     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.091002     Document Type: Article

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