Thermal stability and band alignments for Ge3N4 dielectrics on Ge

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 2, 2006, Pages

  Wang, S J ^a   Chai, J W ^a   Pan, J S ^a   Huan, A C H ^a,b  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HEAT CONDUCTION; HEAT TREATMENT; SEMICONDUCTING GERMANIUM COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BAND ALIGNMENTS; HIGH-RESOLUTION X-RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; IN SITU DIRECT ATOMIC SOURCE NITRIDATION;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33746036473     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2220531     Document Type: Article

References (23)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. T. Ngai, W. J. Qi, R. Sharma, J. L. Fretwell, X. Chen, J. C. Lee, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 78, 3085 (2001).
3. S. J. Wang, A. C. H. Huan, Y. L. Foo, J. W. Chai, J. S. Pan, Q. Li, Y. F. Dong, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 4418 (2004).
4. A. Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, E. K. Evangelou, and A. Sotiropoulos, Appl. Phys. Lett. 86, 223507 (2005).
5. C. O. Chui, S. Rammanathan, B. B. Triplett, P. C. Mclntyre, and K. C. Sarawat, IEEE Electron Device Lett. 23, 473 (2002).
6. M. Meuris, A. Delabie, S. Van Elshocht, S. Kubicek, P. Verheyen, B. De Jaeger, J. Van Steenbergen, G. Winderickx, E. Van Moorhem, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, S. De Gendt, T. Schram, T. Chiarella, B. Onsia, I. Teerlinck, M. Houssa, P. W. Mertens, G. Raskin, P. Mijlemans, S. Biesemans, and M. M. Heyns, Mater. Sci. Semicond. Process. 8, 203 (2005).
7. V. V. Afanasev and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 84, 2319 (2004).
8. N. Lu, W. Bai, A. Ramirez, C. Mouli, A. Ritenour, M. L. Lee, D. Antoniadis, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 87, 051922 (2005).
9. K. I. Seo, P. C. Mclntyre, S. Sun, D. I. Lee, P. Pianetta, and K. C. Sarawat, Appl. Phys. Lett. 87, 042902 (2005).
10. H. S. Kim, P. C. Mclntyre, C. O. Chui, K. C. Sarawat, and M. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 85, 2902 (2004).
11. T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata, Y. Morita, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 85, 3181 (2004).
12. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
13. R. A. McKee, F. J. Walker, M. B. Nardelli, W. A. Shelton, and G. M. Stocks, Science 300, 1726 (2003).
14. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 77, 1662 (2000).
15. S. Miyazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2212 (2001).
16. Y. F. Dong, S. J. Wang, J. W. Chai, Y. P. Feng, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett. 86, 132103 (2005).
17. S. Sayan, E. Garfunkel, and S. Suzer, Appl. Phys. Lett. 80, 2135 (2002).
18. I. Chambouleyron and A. R. Zanatta, J. Appl. Phys. 84, 1 (1998);
19. A. R. Zanatta, R. Landers, S. G. C. de Castro, G. G. Kleiman, I. Chambouleyron, and M. L. Grilli, Appl. Phys. Lett. 66, 1258 (1995).
20. B. Molina and L. E. Sansores, Int. J. Quantum Chem. 80, 249 (2000).
21. J. J. Dong, O. F. Sankey, S. K. Deb, G. Wolf, and P. F. McMillan, Phys. Rev. B 61, 11979 (2000).
22. M. Y. Chen, D. Li, X. Lin, V. P. Dravid, Y. W. Chung, M. S. Wong, and W. D. Sproul, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 521 (1993).
23. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).