Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 6 PART 1, 2012, Pages

  Yin, You ^a   Hosaka, Sumio ^a  

^a GUNMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT-DRIVEN; LOW POWER; LOW THRESHOLD VOLTAGE; MULTILEVEL STORAGE; NON-VOLATILE MEMORIES; PHASE CHANGES; RESISTANCE LEVEL; THRESHOLD SWITCHING; ULTRAHIGH DENSITY;

GERMANIUM; TITANIUM NITRIDE;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 84863335410     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.064101     Document Type: Article

References (26)

1. S. R. Ovshinsky: Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1450.
2. D. S. Chao, C. H. Lien, C. M. Lee, Y. C. Chen, J. T. Yeh, F. Chen, M. J. Chen, H. Yen, M. J. Kao, and M. J. Tsai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 062108.
3. K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono: Nature 433 (2005) 47.
4. Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, and S. Hosaka: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 133503.
5. T. Hasegawa, N. Alpana, T. Ohno, K. Terabe, T. Tsuruoka, J. K. Gimzewski, and M. Aono: Appl. Phys. A 102 (2011) 811.
6. Y. Yin, H. Sone, and S. Hosaka: Microelectron. Eng. 84 (2007) 2901.
7. F. Rao, Z. Song, M. Zhong, L. Wu, G. Feng, B. Liu, S. Feng, and B. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L25.
8. X. Zhou, L. Wu, Z. Song, F. Rao, Y. Cheng, C. Peng, D. Yao, S. Song, B. Liu, S. Feng, and B. Chen: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 032105.
9. G. Lee, J. Lee, Y. H. Song, J. C. Bea, T. Tanaka, and M. Koyanagi: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 095001.
10. G. Zhang, W. S. Hwang, S. Lee, B. Cho, and W. J. Yoo: IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 2361.
11. Y. Yin, K. Ota, T. Noguchi, H. Ohno, H. Sone, and S. Hosaka: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C063.
12. S. R. Ovshinsky: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 4695.
13. M. Liu, Z. Abid, W. Wang, X. He, Q. Liu, and W. Guan: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 233106.
14. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
15. A. Makarov, V. Sverdlov, and S. Selberherr: J. Vac. Sci. Technol. B 29 (2011) 01AD03.
16. J. Feng, Y. F. Lai, B. W. Qiao, B. C. Cai, Y. Y. Lin, T. A. Tang, and B. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 5724.
17. G. H. Oh, Y. L. Park, J. I. Lee, D. H. Im, J. S. Bae, D. H. Kim, D. H. Ahn, H. Horii, S. O. Park, H. S. Yoon, I. S. Park, Y. S. Ko, U. I. Chung, and J. T. Moon: Proc. Symp. VLSI Technology, 2009, 220.
18. Y. Gu, Z. Song, T. Zhang, B. Liu, and S. Feng: Solid-State Electron. 54 (2010) 443.
19. E. T. Kim, J. Y. Lee, and Y. T. Kim: Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 3 (2009) 103.
20. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: IEDM Tech. Dig., 2006, 777.
21. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2003, 699.
22. G. Bruns, Merkelbach, C. Schlockermann, M. Salinga, M. Wuttig, T. D. Happ, J. B. Philipp, and M. Kund: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 043108.
23. G. Zhang, Z. Wu, J. H. Jeong, D. S. Jeong, Y. J. Won, and B. K. Cheong: Curr. Appl. Phys. 11 (2011) e79.
24. V. S. Neshpor: J. Eng. Phys. Thermophys. 15 (1968) 750 [in Russian].
25. Y. Yin, H. Sone, and S. Hosaka: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 6177.
26. S. R. Ovshinsky and H. Fritzsche: IEEE Trans. Electron Devices 20 (1973) 91.