Photoswitches and memories assembled by electrospinning aluminum-doped zinc oxide single nanowires

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 22, 2007, Pages 3968-3972

  Lin, Dandan ^a   Wu, Hui ^a   Pan, Wei ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTROSPINNING; NANOWIRES; X RAY ANALYSIS; ZINC OXIDE;

PHOTOSWITCHES;

OPTICAL SWITCHES;

EID: 36549051736     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200602802     Document Type: Article

References (38)

1. C. Dekker, Phys. Today 1999, 52, 22.
2. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66.
3. C. S. Lao, J. Liu, P. X. Gao, L. Y. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, Z. L. Wang, Nano Lett. 2006, 6, 263.
4. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.
5. T. C. Shang, F. Yang, Small 2006, 2, 1007.
6. J. Kameoka, D. Czaplewski, H. Q. Liu, H. G. Craighead, J. Mater. Chem. 2004, 14, 1503.
7. H. Q. Liu, C. H. Reccius, H. G. Craighead, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253106.
8. M. Bognitzki, W. Czado, T. Frese, A. Schaper, M. Hellwig, M. Steinhart, A. Greiner, J. H. Wendorff, Adv. Mater. 2001, 13, 70.
9. K. Jayaraman, M. Kotaki, Y. Z. Zhang, X. M. Mo, S. Ramakrishna, J. Nanosci. Nanotechnol. 2004, 4, 52.
10. J. J. Mack, L. M. Viculis, A. Ali, R. Luoh, G. L. Yang, H. T. Hahn, F. K. Ko, R. B. Kaner, Adv. Mater. 2005, 17, 77.
11. C. S. Rout, S. H. Krishna, S. R. C. Vivekchand, A. Govindaraj, C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett. 2006, 418, 586.
12. M. C Jeong, B. Y. Oh, M. H. Ham, J. M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 202 105.
13. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. D. Yang, Nat. Mater. 2005, 4, 455.
14. P. X. Gao, Y. Ding, W. J. Mai, W. L. Hughes, C. S. Lao, Z. L. Wang, Science 2005, 309, 1700.
15. C. X. Xu, X. W. Sun, B. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1540.
16. J. S. Jie, G. Z. Wang, X. H. Han, Q. X. Yu, Y. Liao, G. P. Li, J. G. Hou, Chem. Phys. Lett. 2004, 387, 466.
17. C. Ronning, P. X. Gao, Y. Ding, Z. L. Wang, D. Schwen, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 783.
18. Y. B. Geng, G. Z. Wang, Z. Jiang, T. Xie, S. H. Sun, G. W. Meng, L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4791.
19. S. Y. Bae, H. W. Seo, J. Park, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 5206.
20. J. H. He, C. S. Lao, L. J. Chen, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16376.
21. D. Li, T. Herricks, Y. Xia, Nano Lett. 2003, 3, 1167.
22. D. Li, Y. Wang, Y. Xia, Adv. Mater. 2004, 16, 362.
23. R. Jalili, M. Morshed, J. Appl. Polym. Sci. 2006, 101, 4350.
24. R. Bel Hadj Tahar, N. Bel Hadj Tahar, j. Appl. Phys. 2002, 92, 4498.
25. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, Wiley, New York, NJ 1996.
26. C. H. Seager, S. M. Myers, J. Appl. Phys. 2003, 94, 2888.
27. P. Sharma, K. Sreenivas, K. V. Rao, J. Appl. Phys. 2003, 93, 3963.
28. A. Studenikin, N. Golego, M. Cocivera, J. Appl. Phys. 2000, 87, 2413.
29. M. S. Arnold, P. Avouris, Z. W. Pan, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 659.
30. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, S. Kim, Appl. Phys Lett. 2004, 84, 4376.
31. T. B. Hur, Y. H. Hwang, H. K. Kim, J. Appl. Phys. 2004, 96, 1507.
32. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 123117.
33. B. Y. Tsui, C. L. Weng, J. H. Wei, M. J. Tsai, International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) (IEEE Cat. No. 06TH8891) 2006, p. 86.
34. W. R. Hiatt, T. W. Hickmott, Appl. Phys. Lett. 1965, 6, 106.
35. J. C. Bruyere, B. K. Chakraverty, Appl. Phys. Lett. 1970, 16, 40.
36. A. Beck, J. G. Bednorz, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139.
37. R. Seeböck, F. Simonato, R. Keitel, W. Witthuhn, Hyperfine Interact. 1981, 10, 695.
38. H. Wu, W. Pan, J. Am. Ceram. Soc. 2006, 89, 699.