Direct determination of minority carrier diffusion lengths at axial GaAs nanowire p-n junctions

Nano Letters

Volumn 12, Issue 3, 2012, Pages 1453-1458

  Gutsche, Christoph ^a   Niepelt, Raphael ^b   Gnauck, Martin ^b   Lysov, Andrey ^a   Prost, Werner ^a   Ronning, Carsten ^b   Tegude, Franz Josef ^a  

^a UNIVERSITY OF DUISBURG ESSEN   (Germany)

^b FRIEDRICH SCHILLER UNIVERSITY JENA   (Germany)

Author keywords

diffusion length; electron beam induced current; Nanowire; p n junction; solar cell; surface passivation

Indexed keywords

AMMONIUM SULFIDE; BULK MATERIALS; CORE ELEMENTS; DIFFUSION LENGTH; DIRECT DETERMINATION; DOPANT INCORPORATION; ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT; ELECTRONS AND HOLES; EXPONENTIAL DECAYS; GAAS; IN-LINE; LIGHT EMITTERS; MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH; P-N DIODE; P-N JUNCTION; SEMICONDUCTOR NANOWIRE; SURFACE PASSIVATION; SURFACE RECOMBINATION VELOCITIES; SURFACE RECOMBINATIONS; SURFACE-TO-VOLUME RATIO; VAPOR-LIQUID-SOLID; VAPOR-LIQUID-SOLID MECHANISM;

AMMONIUM COMPOUNDS; DIFFUSION; GALLIUM ARSENIDE; GOLD; LIQUIDS; NANOWIRES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SOLAR CELLS; VAPORS;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

GALLIUM; GALLIUM ARSENIDE; NANOMATERIAL; ORGANOARSENIC DERIVATIVE;

ARTICLE; CHEMICAL MODEL; CHEMISTRY; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; ELECTRON TRANSPORT; EQUIPMENT; EQUIPMENT DESIGN; MATERIALS TESTING; SEMICONDUCTOR; ULTRASTRUCTURE;

ARSENICALS; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; ELECTRON TRANSPORT; EQUIPMENT DESIGN; EQUIPMENT FAILURE ANALYSIS; GALLIUM; MATERIALS TESTING; MODELS, CHEMICAL; NANOSTRUCTURES; SEMICONDUCTORS;

EID: 84858264771     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl204126n     Document Type: Article

References (50)

1. Tian, B.; Zheng, X.; Kempa, T. J.; Fang, Y.; Yu, N.; Yu, G.; Huang, J.; Lieber, C. M. Nature 2007, 449, 885
2. Mariani, G.; Wong, P.-S.; Katzenmeyer, A. M.; Leonard, F.; Shapiro, J.; Huffaker, D. L. Nano Lett. 2011, 11, 2490
3. Colombo, C.; Heiß, M.; Grätzel, M.; Fontcuberta i Morral, A. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 173108
4. Tajik, N.; Peng, Z.; Kuyanov, P.; LaPierre, R. R. Nanotechnology 2011, 22, 225402
5. Heurlin, M.; Wickert, P.; Fält, S.; Borgström, M. T.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Magnusson, M. H. Nano Lett. 2011, 11, 2028
6. Goto, H.; Nosaki, K.; Tomioka, K.; Hara, S.; Hiruma, K.; Motohisa, J.; Fukui, T. Appl. Phys. Express 2009, 2, 035004
7. Messing, M. E.; Wong-Leung, J.; Zanolli, Z.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Gao, Q.; Wallenberg, L. R.; Johansson, J.; Jagadish, C. Nano Lett. 2011, 11 (9) 3899-3905
8. Wallentin, J.; Persson, J. M.; Wagner, J. B.; Samuelson, L.; Deppert, K.; Borgström, M. T. Nano Lett. 2010, 10, 974
9. Sun, K.; Kargar, A.; Park, N.; Madsen, K. N.; Naughton, P. W.; Bright, T.; Jing, Y.; Wang, D. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2011, 10.1109/JSTQE.2010.2090342
10. Borgström, M. T.; Wallentin, J.; Heurlin, M.; Fält, S.; Wickert, P.; Leene, J.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Samuelson, L. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2010, 99, 1
11. Garnett, E.; Yang, P. Nano Lett. 2010, 10, 1082
12. Diedenhofen, S. L.; Vecchi, G.; Algra, R. E.; Hartsuiker, A.; Muskens, O. L.; Immink, G.; Bakkers, E. P. A. M.; Vos, W. L.; Rivas, J. G. Adv. Mater. 2009, 21, 973
13. Kupec, J.; Stoop, R. L.; Witzigmann, B. Opt. Express 2010, 18, 27589
14. Dan, Y.; Seo, K.; Takei, K.; Meza, J. H.; Javey, A.; Crozier, K. B. Nano Lett. 2011, 11, 2527
15. Parkinson, P.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Zhang, X.; Zou, J.; Jagadish, C.; Herz, L. M.; Johnston, M. B. Nano Lett. 2009, 9, 3349
16. Davidson, S. M. J. Microsc. 1977, 110, 177
17. Graham, R.; Miller, C.; Oh, E.; Yu, D. Nano Lett. 2011, 11, 717
18. Gu, Y.; Romankiewicz, J. P.; David, J. K.; Lensch, J. L.; Lauhon, L. J.; Kwak, E. S.; Odom, T. W. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 2172
19. Kelzenberg, M. D.; Turner-Evans, D. B.; Kayes, B. M.; Filler, M. A.; Putnam, M. C.; Lewis, N. S.; Atwater, H. A. Nano Lett. 2008, 8, 710
20. Baird, L.; Ang, G. H.; Low, C. H.; Haegel, N. M.; Talin, A. A.; Li, Q.; Wang, G. T. Physica B 2009, 404, 4933
21. Baird, L.; Ong, C. P.; Cole, R. A.; Haegel, N. M.; Talin, A. A.; Li, Q.; Wang, G. T. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 132104
22. Gustafsson, A.; Bolinsson, J.; Sköld, N.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 072114
23. Bolinsson, J.; Mergenthaler, K.; Samuelson, L.; Gustafsson, A. J. Cryst. Growth 2011, 315, 138
24. Allen, J. E.; Hemesath, E. R.; Perea, D. E.; Lensch-Falk, J. L.; Li, Z. Y.; Yin, F.; Gass, M. H.; Wang, P.; Bleloch, A. L.; Palmer, R. E.; Lauhon, L. J. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 168
25. Breuer, S.; Pfüller, C.; Flissikowski, T.; Brandt, O.; Grahn, H. T.; Geelhaar, L.; Riechert, H. Nano Lett. 2011, 11, 1276
26. Kang, J. H.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Guo, Y.; Xu, H.; Zou, J.; Fickenscher, M. A.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 3109
27. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Fickenscher, M. A.; Perera, S.; Hoang, T. B.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.; Zhang, X.; Zou, J. Adv. Funct. Mat. 2008, 18, 3794
28. Demichel, O.; Heiss, M.; Bleuse, J.; Mariette, H.; Fontcuberta i Morral, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 201907
29. Regolin, I.; Gutsche, C.; Lysov, A.; Blekker, K.; Li, Z.-A.; Spasova, M.; Prost, W.; Tegude, F.-J. J. Cryst. Growth 2011, 315, 143
30. Wittry, D. B.; Kyser, D. F J. Appl. Phys. 1964, 35, 2439
31. Holt, D. B. Quantitative Scanning Electron Microscopy; Holt, D. B.; Muir, M. D.; Grant, P. R.; Boswarva, I. M., Eds.; Academic Press: New York/London, 1974.
32. Higuchi, H.; Tamura, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1965, 4, 316
33. Cavalcoli, D.; Cavallini, A. Mater. Sci. Eng., B 1994, 24, 98
34. Demers, H.; Poirier-Demers, N.; Couture, A. R.; Joly, D.; Guilmain, M.; de Jonge, N.; Drouin, D. Scanning 2011, 33, 135
35. Klein, C. A. J. Appl. Phys. 1968, 39, 4
36. Wright, D. R.; Oliver, P. E.; Prentice, T.; Steward, V. W. J. Cryst. Growth 1981, 55, 183
37. Hwang, C. J. J. Appl. Phys. 1969, 40, 3731
38. Casey, H. C.; Miller, B. I.; Pinkas, E. J. Appl. Phys. 1973, 44, 1281
39. Joshi, R.; Grondin, R. O. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 2438
40. Ito, H.; Ishibashi, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 88
41. Jastrzebski, L.; Lagowski, J.; Gatos, H. C. Appl. Phys. Lett. 1975, 27, 537
42. Gutsche, C.; Regolin, I.; Blekker, K.; Lysov, A.; Prost, W.; Tegude, F.- J. J. Appl. Phys. 2009, 105, 024305
43. Gutsche, C.; Lysov, A.; Regolin, I.; Blekker, K.; Prost, W.; Tegude, F.-J. Nanoscale Res. Lett. 2011, 6, 65
44. Lysov, A.; Offer, M.; Gutsche, C.; Regolin, I.; Topaloglu, S.; Geller, M.; Prost, W.; Tegude, F.-J. Nanotechnology 2011, 22, 085702
45. Lysov, A.; Vinaji, S.; Offer, M.; Gutsche, C.; Regolin, I.; Mertin, W.; Geller, M.; Prost, W.; Bacher, G.; Tegude, F.-J. Nano Res. 2011, 4, 987
46. Nelson, R. J.; Sobers, R. G. J. Appl. Phys. 1978, 49, 6103
47. Brennan, B.; Milojevic, M.; Hinkle, C. L.; Aguirre-Tostado, F. S.; Hughes, G.; Wallace, R. M. Appl. Surf. Sci. 2011, 257, 4082
48. Oshima, M.; Scimeca, T.; Watanabe, Y.; Oigawa, H.; Nannichi, Y Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 518
49. Hou, X.; Chen, X.; Li, Z.; Ding, X.; Wang, X. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1429
50. Jin, Z.; Prost, W.; Neumann, S.; Tegude, F.-J. J. Vac. Sci. Technol., B 2004, 22, 1060