High-performance single nanowire tunnel diodes

Nano Letters

Volumn 10, Issue 3, 2010, Pages 974-979

  Wallentin, Jesper ^a   Persson, Johan M ^b   Wagner, Jakob B ^b   Samuelson, Lars ^a   Deppert, Knut ^a   Borgström, Magnus T ^a  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

^b TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK   (Denmark)

Author keywords

Esaki diode; Heterostructure; MOVPE; Nanowire; Solar cell; Tunnel diode

Indexed keywords

ELECTRONIC APPLICATION; ESAKI DIODE; GAAS; HETEROSTRUCTURES; INP; LIQUID HELIUM TEMPERATURE; MOVPE; PEAK TO VALLEY CURRENT RATIO; ROOM TEMPERATURE; SINGLE NANOWIRES; SURFACE-TO-VOLUME RATIO;

DIODES; NANOWIRES; SOLAR CELLS; SUPERFLUID HELIUM; WIND TUNNELS;

TUNNEL DIODES;

NANOMATERIAL;

ARTICLE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; EQUIPMENT; EQUIPMENT DESIGN; INSTRUMENTATION; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

CRYSTALLIZATION; EQUIPMENT DESIGN; EQUIPMENT FAILURE ANALYSIS; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MATERIALS TESTING; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTORS; SURFACE PROPERTIES;

EID: 77949452439     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl903941b     Document Type: Article

References (29)

1. Esaki, L. Phys. Rev. 1958, 109 (2), 603-604.
2. Henry, C. H. J. Appl. Phys. 1980, 51 (8), 4494-4500.
3. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. L; Thelander, C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2002, 2 (2), 87-89.
4. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C; Lieber, C. M. Nature 2002. 415 (6872), 617-620.
5. Mårtensson, T.; Svensson, C. P. T.; Wacaser, B. A.; Larsson, M. W.; Seifert, W.; Deppert, K.; Gustafsson, A.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 4 (10), 1987-1990.
6. Kempa, T. J.; Tian, B. Z.; Kim, D. R; Hu, J. S.; Zheng, X. L.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2008, 8 (10), 3456-3460.
7. van der Wage, P.; Seabaugh, A.; Beam, E., III In RTD/HFET low standby power SRAM gain cell. Electron Devices Meeting, International, 1996; pp 425-428.
8. Sudirgo, S.; Nandgaonkar, R. P.; Curanovic, B.; Hebding, J. L.; Saxer, R. L.; Islam, S. S.; Hirschman, K. D.; Rommel, S. L.; Kurinec, S. K.; Thompson, P. E.; Jin, N.; Berger, P. R. Solid-State Electron. 2004. 48 (10-11) 1907-1910.
9. Appenzeller, J.; Knoch. J.; Björk, M. L; Riel, H.; Schmid, H.; Riess, W. IEEE Trans Electron Devices 2008, 55 (11), 2827-2845.
10. Suzuki, N.; Anan, T.; Hatakeyama, H.; Tsuji, M. APPl. Phys. Lett 2006, 88(23), 231103.
11. Sweeny, M.; Xu, J. M. Appl. Phys. Lett 1989, 54 (6), 546-548.
12. Dick, K. A.; Kodambaka, S.; Reuter, M. C.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W.; Wallenberg, L. R; Ross, F. M. Nano Lett. 2007, 7(6), 1817-1822.
13. Magnusson. M. H.; Deppert. K.; Malm. J. O.; Bovin, J. O.; Samuelson, L. Nanostruct. Mater. 1999, 12 (1 -4), 45-48.
14. Minot, E. D.; Kelkensberg, F.; van Kouwen, M.; van Dam, J. A.; Kouwenhoven, L. P.; Zwiller, V.; Borgstrom, M. T.; Wunnicke, O.; Verheijen, M. A.; Bakkers, E. P. A. M. Nano Lett. 2007, 7 (2), 367-371.
15. Gutsche, C.; Regolin, I.; Blekker, K.; Lysov, A.; Prost, W.; Tegude, F. J. J. Appl. Phys. 2009, 105(2), No.024305.
16. Borgström, M. T.; Wallentin, J.; Trägärdh, J.; Ramvall, P.; Ek, M.; Wallenberg, R. L.; Samuelson, L.; Deppert, K. Accepted for publication in Nano Res.
17. Bruce, R; Clark, D.; Bicher, S. J. Electron. Mater. 1990, 1990 (3), 225-229.
18. van Weert, M. H. M.; Helman, A.; van den Einden. W.; Algra. R. E.; Verheijen, M. A.; Borgström, M. T.; Immink, G.; Kelly, J. J.; Kouwenhoven, L. P.; Bakkers, E. P. A. M. J. Am. Chem Soc. 2009, 131 (13), 4578-4579.
19. Algra, R. E.; Verheijen, M. A.; Borgström, M. T.; Feiner, L. F.; Immink, G.; van Enckevort, W. J. P.; Vlieg, E.; Bakkers, E. P. A. M. Nature 2008, 456 (7220), 369-372.
20. Borgstrom, M. T.; Verheijen, M. A.; Immink, G.; de Smet, T.; Bakkers, E. P. A. M. Nanotechnology 2006, 17 (16), 4010 4013.
21. Sorensen, B. S.; Aagesen, M.; Sorensen, C. B.; Lindelof, P. E.; Martinez, K. L.; Nygârd, J. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (1), 012119.
22. Borgström, M. T.; Norberg, E.; Wickert, P.; Nilsson, H. A.; Trägärdh, J.; Dick, K. A.; Statkute, G.; Ramvall, P.; Deppert, K.; Samuelson, L. Nanotechnology 2008. 19 (44), 445602.
23. Tan, I. H.; Snider, G. L.; Chang, L. D.; Hu. E. L. J. Appl. Phys. 1990, 68(8), 4071-4076.
24. Pistol, M. E.; Pryor, C. E. Phys. Rev. B 2009, 80 (3), No.035316.
25. Guter, W.; Bett, A. W. IEEE Trans Electron Devices 2006, 53 (9), 2216-2222.
26. Chynoweth, A.; Logan, R. A.; Feldmann, W. L. Phys. Rev. 1961, 121 (3), 684.
27. Jandieri, K.; Baranovskii. S. D.; Rubel, O.; Stolz, W.; Gebhard. F.; Guter, W.; Hermle, M.; Bett, A. W. J. Appl Phys. 2008, 104 (9), No.094506.
28. Meyerhofer, D.; Brown, G. A.; Sommers, H. S. Phys. Rev. 1962, 1 (4), 1329.
29. Guter, W.; Schone, J.; Philipps, S. P.; Steiner, M.; Siefer, G.; Wekkeli, A.; Welser, E.; Oliva, E.; Bett, A. W.; Dimroth, F. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 (22), 223504.