Highly efficient silicon nanoarray solar cells by a single-step plasma-based process

Advanced Energy Materials

Volumn 1, Issue 3, 2011, Pages 373-376

  Xu, S ^a   Huang, S Y ^a   Levchenko, I ^b,c   Zhou, H P ^a   Wei, D Y ^a   Xiao, S Q ^a   Xu, L X ^a   Yan, W S ^a   Ostrikov, K ^b,c  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b CSIRO   (Australia)

^c UNIVERSITY OF SYDNEY   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENVIRONMENT FRIENDLY; FILL FACTOR; LOW TEMPERATURES; NANOARRAYS; P-N JUNCTION; P-TYPE SI; SINGLE-CRYSTALLINE; SINGLE-STEP; SINGLE-STEP PROCESS; VERTICALLY ALIGNED;

CONVERSION EFFICIENCY; HYDROGEN; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SILICON; SOLAR CELLS;

SILICON WAFERS;

EID: 80053466870     PISSN: 16146832     EISSN: 16146840     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/aenm.201100085     Document Type: Article

References (29)

1. A. R. Segalman, Science 2008, 321, 919-920.
2. Z. Fan, R. Kapadia, P. W. Leu, X. Zhang, Y.-L. Chueh, K. Takei, K. Y. A. Jamshidi, A. A. Rathore, D. J. Ruebusch, M. Wu, A. Javey, Nano Lett. 2010, 10, 3823.
3. J. Zhu, C.-M. Hsu, Z. Yu, S. Fan, Y. Cui, Nano Lett. 2010, 10, 1979.
4. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, Science 1996, 272, 85.
5. C.-H. Hsu, H.-C. Lo, C.-F. Chen, C. T. Wu, J.-S. Hwang, D. Das, J. Tsai, L.-C. Chen, K.-H. Chen, Nano Lett. 2004, 4, 471.
6. N. J. Quitoriano, M. Belov, S. Evoy, T. I Kamins, Nano Lett. 2009, 9, 1511.
7. D. Wan, H.-L. Chen, Y.-S. Lin, S.-Y. Chuang, J. Shieh, S.-H. Chen, ACS Nano 2009, 3, 960.
8. R. Beckman, E. Johnston-Halperin, Y. Luo, J. E. Green, J. R. Heath, Science 2005, 310, 465.
9. P. Hoyer, M. Theuer, R. Beigang, E.-B. Kley, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 091106.
10. M. Mozetic, U. Cvelbar, M. K. Sunkara, S. A. Vaddiraju, Adv. Mater. 2005, 17, 2138.
11. I. Levchenko, K. Ostrikov, D. Mariotti, Carbon 2009, 47, 344.
12. A. Borras, J. R. Sanchez-Valencia, R. Widmer, V. J. Rico, A. Justo, A. R. Gonzalez-Elipe, Cryst. Growth Design 2009, 9, 2868.
13. M. Keidar, Y. Raitses, A. Knapp, A. M. Waas, Carbon 2006, 44, 1022.
14. I. Denysenko, K. Ostrikov, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 251501.
15. H. Schlemm, A. Mai, S. Roth, D. Roth, K.-M. Baumgartner, H. Muegge, Surf. Coat. Technol. 2003, 174, 208.
16. N. M. Hwang, W. S. Cheong, D. Y. Yoon, D.-Y. Kim, J. Cryst. Growth 2000, 218, 33.
17. S. Xu, K. N. Ostrikov, Y. Li, E. L. Tsakadze, I. R. Jones, Phys. Plasmas 2001, 8, 2549.
18. S. Xu, K. Ostrikov, J. D. Long, S. Y. Huang, Vacuum 2006, 80, 621.
19. N. Zhao, T. P. Osedach, L.-Y. Chang, S. M. Geyer, D. Wanger, M. T. Binda, A. C. Arango, M. G. Bawendi, V. Bulovic, ACS Nano 2010, 4, 3743.
20. J. Shieh, F. J. Hou, Y. C. Chen, H. M. Chen, S. P. Yang, C. C. Cheng and H. L. Chen, Adv. Mater. 2010, 22, 597.
21. J. Shieh, C. H. Lin, M. C. Yang, J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 2242.
22. H. P. Zhou, L. X. Xu, S. Xu, S. Y. Huang, D. Y. Wei, S. Q. Xiao, W. S. Yan, M. Xu, J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43, 505402.
23. M. Wolter, I. Levchenko, H. Kersten, K. Ostrikov, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 133105.
24. I. Levchenko, S. Y. Huang, K. Ostrikov, S. Xu, Nanotechnology 2010, 21, 025605.
25. M. Bruzzi, D. Menichelli, M. Scaringella, J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, J. Appl. Phys. 2006, 99, 093706.
26. A. Janotti, C. G. Van de Walle, Nature 2007, 6, 44.
27. C. G. Van de Walle, P. J. H. Denteneer, Y. Bar-Yam, S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 1989, 39, 10791.
28. Z. Tsakadze, I. Levchenko, K. Ostrikov, S. Xu, Carbon 2007, 45, 2022.
29. I. Levchenko, K. Ostrikov, K. Diwan, K. Winkler, D. Mariotti, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 183102