Different resistive switching characteristics of a Cu/SiO 2/Pt structure

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 9 PART 1, 2011, Pages

  Liu, Chih Yi ^a   Sung, Po Wei ^a  

^a NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTING FILAMENT; CONDUCTION MECHANISM; DC VOLTAGE; ELECTROCHEMICAL REACTIONS; MAGNETRON SPUTTER; RADIO FREQUENCIES; RESET CURRENTS; RESISTANCE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING; SWEEPING SPEED; SWITCHING BEHAVIORS; SWITCHING MECHANISM; VOLTAGE OPERATIONS;

MAGNETRONS; PLATINUM; SILICON COMPOUNDS;

SWITCHING;

EID: 80053018074     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.091101     Document Type: Article

References (31)

1. D. C. Worledge and D. W. Abraham: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 4522.
2. X. S. Miao, L. P. Shi, H. K. Lee, J. M. Li, R. Zhao, P. K. Tan, K. G. Lim, H. X. Yang, and T. C. Chong: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3955.
3. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 139.
4. M. S. Tsai and T. Y. Tseng: Thin Solid Films 372 (2000) 190.
5. M. H. Lin, M. C. Wu, C. H. Lin, and T. Y. Tseng: IEEE Trans. Electron Devices 57 (2010) 1801.
6. J. W. Park, K. Jung, M. K. Yang, J. K. Lee, D. Y. Kim, and J. W. Park: J. Appl. Phys. 99 (2006) 124102.
7. C. Y. Liu, A. Wang, W. Y. Jang, and T. Y. Tseng: J. Phys. D 39 (2006) 1156.
8. C. Y. Liu, X. J. Lin, H. Y. Wang, and C. H. Lai: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056507.
9. C. Kügeler, R. Weng, H. Schroeder, R. Symanczyk, P. Majewski, K.-D. Ufert, R. Waser, and M. Kund: Thin Solid Films 518 (2010) 2258.
10. S. B. Lee, S. C. Chae, S. H. Chang, J. S. Lee, S. Park, Y. Jo, S. Seo, B. Kahng, and T. W. Noh: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 252102.
11. L. F. Liu, J. F. Kang, N. Xu, X. Sun, C. Chen, B. Sun, Y. Wang, X. Y. Liu, X. Zhang, and R. Q. Han: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2701.
12. W. G. Kim and S. W. Rhee: Microelectron. Eng. 87 (2010) 98.
13. H. B. Lv, M. Yin, Y. L. Song, X. F. Fu, L. Tang, P. Zhou, C. H. Zhao, T. A. Tang, B. A. Chen, and Y. Y. Lin: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 47.
14. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, T. N. Fang, S. Kaza, and Z. Lan: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 013503.
15. R. Yasuhara, K. Fujiwara, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, M. Oshima, and H. Takagi: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 012110.
16. Y. C. Yang, F. Pan, F. Zeng, and M. Liu: J. Appl. Phys. 106 (2009) 123705.
17. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, and F. Zeng: Nano Lett. 9 (2009) 1636.
18. C. Schindler, S. C. P. Thermadam, R. Waser, and M. N. Kozicki: IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 2762.
19. C. Schindler, G. Staikov, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 072109.
20. C. Schindler, M. Weides, M. N. Kozicki, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 122910.
21. Y. Sato, K. Kinoshita, M. Aoki, and Y. Sugiyama: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 033503.
22. D. S. Jeong, B. J. Choi, and C. S. Hwang: J. Appl. Phys. 100 (2006) 113724.
23. C. Y. Liu and J. M. Hsu: Microelectron. Eng. 87 (2010) 2504.
24. S. P. Thermadam, S. K. Bhagat, T. L. Alford, Y. Sakaguchi, M. N. Kozicki, and M. Mitkova: Thin Solid Films 518 (2010) 3293.
25. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H.-J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 202102.
26. S. E. Ahn, M. J. Lee, Y. Park, B. S. Kang, C. B. Lee, K. H. Kim, S. Seo, D. S. Suh, D. C. Kim, J. Hur, W. Xianyu, G. Stefanovich, H. Yin, I. K. Yoo, J. H. Lee, J. B. Park, I. G. Baek, and B. H. Park: Adv. Mater. 20 (2008) 924.
27. K. Kinoshita, K. Tsunoda, Y. Sato, H. Noshiro, S. Yagaki, M. Aoki, and Y. Sugiyama: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 033506.
28. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L991.
29. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, and F. Zeng: Nano Lett. 9 (2009) 1636.
30. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 262907.
31. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. L. Lacaita, S. Spiga, C. Wiemer, M. Perego, and M. Fanciulli: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 775.