Changes of carrier density and mobility in ALD-ZnO thin films after nitrogen-ion implantation

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 58, Issue 4, 2011, Pages 761764-

  Kim, H S ^a   Lee, D H ^a   Noh, S J ^a  

^a Dankook University   (South Korea)

Author keywords

Atomic layer deposition (ALD); Carrier density; Nitrogen ion implantation; Transport of ions in matter (TRIM); ZnO

Indexed keywords

EID: 79955052697     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.58.761     Document Type: Article

References (27)

1. I. J. Lee, C. J. Yu, H. K. Kim, Y. S. Yu and J. Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 52, 1685 (2008).
2. T. E. Park, D. C. Kim, B. H. Kong and H. K. Cho, J. Korean Phys. Soc. 45, S697 (2004).
3. K. S. Kim, H. W. Kim and N. H. Kim, J. Mater. Sci. Lett. 22, 1155 (2003).
4. V. Craciun, J. Elders, J. G. E. Gardeniers and I. W. Boyd, Appl. Phys. Lett. 65, 2963 (1994).
5. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee and S. Im, Mater. Sci. Eng., B 71, 301 (2000).
6. F. Quaranta, A. Valentini, F. R. Rizzi and G. Casamassima, J. Appl. Phys. 74, 244 (1993).
7. M. Purica, E. Budianu, E. Rusu, M. Danila and R. Gavrila, Thin Solid Films 403, 485 (2002).
8. Y. Feng, Y. Zhou, Y. Liu, G. Zhang and X. Zhang, J. Lumin. 119, 233 (2006).
9. E. H. Kim, D. H. Lee, B. H. Chung, H. S. Kim, Y. Kim and S. J. Noh, J. Korean Phys. Soc. 50, 1716 (2007).
10. S. J. Lim, S. Kwon and H. Kim, Thin Solid Films 516, 1523 (2008).
11. H. Makino, A. Miyake, T. Yamada, N. Yamamoto and T. Yamamoto, Thin Solid Films 517, 3138 (2009).
12. Y. T. Lin, P. H. Chung, H. W. Lai, H. L. Su, D. Y. Lyu, K. Y. Yen, T. Y. Lin, C. Y. Kung and J. R. Gong, Appl. Surf. Sci. 256, 819 (2009).
13. M. Godlewski, E. Guziewicz, G. Luka, T. Krajewski, M. Lukasiewicz, L. Wachnicki, A. Wachnicka, K. Kopalko, A. Sarem and B. Dalati, Thin Solid Films 518, 1145 (2009).
14. T. Sahoo, M. Kim, M. H. Lee, L. W. Jang, J. W. Jeon, J. S. Kwak, I. Y. Ko and I. H. Lee, J. Alloys Compd. 491, 308 (2010).
15. K. Wang, Z. Ding, T. Chen, D. Chen, S. Yao and Z. Fu, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 266, 2962 (2008).
16. J. Kennedy, B. Sundrakannan, R. S. Katiyar, A. Markwitz, Z. Li and W. Gao, Curr. Appl. Phys. 8, 291 (2008).
17. X. D. Zhang, C. L. Liu, Z. Wang, Y. Y. Lü and L. J. Yin, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 254, 83 (2007).
18. C. C. Yang, C. C. Lin, C. H. Peng and S. Y. Chen, J. Cryst. Growth 285, 96 (2005).
19. A. N. Georgobiania, A. N. Gruzintsev, V. T. Volkov, M. O. Vorobiev, V. I. Demina and V. A. Dravin, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 514, 117 (2003).
20. H. Wang, X. Gao, Q. Duan and J. Lu, Thin Solid Films 492, 236 (2005).
21. M. Komatsu, N. Ohashi, I. Sakaguchi, S. Hishita and H. Haneda, Appl. Surf. Sci. 189, 349 (2002).
22. J. F. Ziegler, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 219, 1027 (2004).
23. J. Lim and C. Lee, Thin Solid Films 515, 3335 (2007).
24. S. Lee, Y. H. Im and Y. B. Hahn, Korean J. Chem. Eng. 22, 334 (2005).
25. D. H. Lee, H. S. Kim and S. J. Noh, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 391 (2011).
26. I. V. Rogozin and M. B. Kotlyarevsky, Semicond. Sci. Technol. 23, 085008 (2008).
27. E. C. Lee, Y. S. Kim, Y. G. Jin and K. J. Chang, Phys. Rev. B 64, 085120 (2001).