Structural and electronic characteristics of ZnO thin films dc sputtered on sapphire (0001) substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 52, Issue 5, 2008, Pages 1685-1688

  Lee, Ik Jae ^a   Yu, Chung Jong ^a   Kim, Hyung Kook ^b   Yu, Yun Sik ^c   Kim, Jae Yong ^d  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Pusan National University   (South Korea)

^c Dong Eui University   (South Korea)

^d Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

DC sputter; Epitaxial thin film; Hall effect; NEXAFS; X ray diffraction; ZnO

Indexed keywords

EID: 44649202731     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.52.1685     Document Type: Article

References (18)

1. D. C. Thomas, J. Phys. Chem. Solids 15, 86 (1960).
2. D. H. Kong, D. C. Kim, Y. Y. Kim and H. K. Cho, J. Korean Phys. Soc. 49, 741 (2006)
3. S.-H. Park, J. Korean Phys. Soc. 51, 1404 (2007).
4. D. M. Bagall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
5. H. Jeon, K. Noh, D.-H. Kim, M. Jeon, V. P. Venia, W. Choi, D. Kim and J. Moon, J. Korean Phys. Soc. 51, 1999 (2007).
6. J. W. Seong, K. H. Kim, Y. W. Beag, S. K. Koh and K. H. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1139 (2004).
7. S. Atsushi, H. Wakana, M. Akifumi, T. Norihiro, O. Sci, A. Shusaku, S. Keisuke, Y. Tokuo and Y. Mamoru, Appl. Phys. Lett. 86, 231911 (2005).
8. T.-B. Hur, S.-J. Park, Y.-H. Hwang and H.-K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 51, 887 (2007).
9. I. Ohkubo, A. Ohtamo, T. Ohnishi, Y. Matsumoto, H. Koinuma and M. Kawasaki, Surf. Sci 443, L1043 (1999).
10. T.-B. Hur, Y.-H. Hwang, H.-K. Kim and I. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 46, 120 (2005).
11. B. P. Zhang, L. H. Manh, K. Wakatsuki, K. Tamura, T. Ohnishi, M. Lippmaa, N. Usami, M. Kawasaki, H. Koinuma and Y. Segawa, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L264 (2003).
12. E. Vasco, J. Rubio-Zuazo, L. Vazquez and C. Prieto, C. Zaldo, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 224 (2001).
13. Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 76, 559 (2000).
14. K. Iwata, P. Fons, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara, K. Nakahara and H. Takasu, Phys. Stat. Sol. (a) 180, 287 (2000).
15. A. Ohtomo, H. Kimura, K. Saito, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma and M. Kawasaki, J. Cryst. Growth 214/215, 284 (2000).
16. Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. F. Yu, B. K. Tay, X. H. Zhang, K. Y. Tse and H. H. Hng, J. Appl. Phys. 94, 1597 (2003).
17. C. C. Lin, S. Y. Chen, S. Y. Cheng and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004).
18. H. S. Kang, J. S. Kang, J. W. Kim and S. Y. Lee, J. Appl. Phys. 95, 1246 (2004).